Патенты автора — Бачурин В.В.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 12, получены - 1991-2012
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ изготовления транзисторной свч ldmos структуры
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS структур и транзисторов на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании, способных...
- Способ изготовления свч ldmos транзисторов
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и обеспечивает создание способа изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с уменьшенным шагом транзисторной ячейки, улучшенными частотными и энергетическими параметрами и...
- Мощный свч ldmos транзистор и способ его изготовления
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ LDMOS транзисторе, содержащем кремниевую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями p-типа проводимости, элементарные транзисторные ячейки с...
- Способ изготовления свч ldmos транзисторов
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента...
- Способ изготовления свч мощных полевых ldmos транзисторов
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ мощных полевых LDMOS-транзисторов, включающем формирование первичного защитного покрытия на лицевой стороне исходной кремниевой подложки с...
- Свч ldmos-транзистор
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Техническим результатом изобретения является повышение предельно-допустимых значений электрических параметров и режимов эксплуатации СВЧ LDMOS - транзисторов и обеспечение условий для...
- Способ изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых...
- Мощный свч мдп - транзистор
Использование: в электронной полупроводниковой технике, в частности при конструировании мощных кремниевых МДП-транзисторов, предназначенных для усиления и генерирования мощности в ВЧ и СВЧ-диапазоне длин волн. Сущность изобретения: в конструкции...
- Способ изготовления мощного дмоп-транзистора
Использование: в электронной полупроводниковой технике, в методах создания мощных кремниевых ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой. Сущность изобретения: способ отличается наличием новой совокупности и последовательности технологических операций:...
- Способ управления процессом получения строительных материалов
Использование: область строительных материалов . Сущность изобретения: в способе управления процессом получения строительных материалов, преимущественно цементных, включающем измельчение и термообработку компонентов сырьевых материалов,...