Патенты автора — Близнецов В.Н.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 3, получены - 1992-1995
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
| № | Компания | Патенты |
|---|---|---|
| 1 | НИИ молекулярной электроники | 2 |
- Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния
Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной (ССТ) технологии с использованием поликремния на кремнии. Сущность изобретения: процесс селективного травления поликремния...
- Способ плазменного травления контактных окон в изолирующих и пассивирующих слоях диэлектриков на основе кремния
Использование: микроэлектроника, производство БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ плазменного травления контактных окон в изолирующих и пассивирующих слоях диэлектриков на основе кремния, включает обработку слоя диэлектрика в индивидуальном...
- Способ планаризации интегральных схем
Использование: микроэлектроника, производство БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ планаризации интегральных схем путем плазменного травления в индивидуальном диодном реакторе при давлении от 150 до 600Па и плотности ВЧ мощности от 3,5 до 8,0...