Патенты автора — Бокарев В.П.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 10, получены - 1991-2012
- B82 – Нанотехнология
- G01 – Измерение
- G03 – Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Тестовый объект для калибровки микроскопов в микрометровом и нанометровом диапазонах
Изобретение относится к области калибровки оптических цифровых и конфокальных микроскопов, растровых электронных микроскопов и сканирующих зондовых микроскопов при измерении микронных и нанометровых длин отрезков. Тестовый объект для калибровки...
- Способ заполнения внутренней полости нанотрубок химическим веществом
Изобретение относится к области нанотехнологий, а точнее к способам заполнения внутренних полостей нанотрубок химическими веществами, и может быть использовано для заполнения внутренних полостей нанотрубок необходимым веществом при использовании их в...
- Способ изготовления штампа для наноимпринт литографии
Изобретение относится к микроэлектронике, к способам изготовления штампов для наноимпринт литографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами для использования при изготовлении полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: для уменьшения...
- Способ изготовления фотошаблона для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами
Изобретение относится к области микроэлектроники, а точнее к способам изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов для технологии...
- Прецизионный детектирующий узел ионизирующего излучения
Изобретение относится к средствам для детектирования ионизирующего излучения, а именно к конструкции детектирующего узла для получения распределения интенсивности принимаемого ионизирующего излучения по пространственной или угловой координате....
- Детектирующий узел ионизирующего излучения
Предложенное изобретение относится к средствам для детектирования ионизирующего излучения, а именно к конструкции детектирующего узла для получения распределения интенсивности принимаемого ионизирующего излучения по пространственной или угловой...
- Способ фотолитического селективного травления двуокиси кремния
Использование: в микроэлектронике, а именно в способах фотолитического травления поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: способ фотолитического травления двуокиси кремния включает травление...
- Способ реактивно-ионного травления нитрида кремния
Использование: в микроэлектронике для травления поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: способ реактивно-ионного травления нитрида кремния включает травление поверхности Si3N4 в плазме газовой...
- Способ очистки поверхности
Использование: в микроэлектронике для очистки поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность: помещают очищаемую пластину в вакуумную камеру и обрабатывают поверхность пластины интенсивной струей криоаэрозоля азота...
- Способ плазмохимического травления
Использование: в микроэлектронике, для травления функциональных слоев нитрида и двуокиси кремния, тугоплавких металлов и других материалов. Сущность изобретения: способ плазмохимического травления включает размещение обрабатываемого образца на...