Патенты автора — Чибиркин В.В.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 14, получены - 1996-2011
- B22 – Литейное производство; порошковая металлургия
- B32 – Слоистые изделия или материалы
- F21 – Освещение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ получения высокоармированного композиционного материала al-sic и изделие, полученное на его основе
Изобретение относится к способам получения композиционных материалов для теплоотводящих оснований полупроводниковых приборов, в частности, композиционного материала Al-SiC, имеющего металлическое покрытие, и изделиям, полученным с использованием этих...
- Способ получения изделия из композиционного материала
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности получению изделий из металлических композиционных материалов Al-SiC. Может использоваться в качестве оснований и корпусов изделий силовой полупроводниковой техники. Преформу, состоящую из...
- Силовой полупроводниковый прибор с регулируемым напряжением переключения
Изобретение относится к конструкции силового полупроводникового прибора. Техническим результатом изобретения является повышение критической скорости нарастания тока при переключении прибора в случае перенапряжений. Сущность изобретения: силовой...
- Резистивный элемент высоковольтного полупроводникового резистора
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов и может быть использовано при разработке высоковольтных полупроводниковых резисторов с заданной зависимостью их сопротивления от приложенного напряжения. Техническим результатом изобретения...
- Световой прибор с повышенной световой отдачей на основе светодиодов
Изобретение относится к области светотехники и может быть использовано при конструировании световых приборов. Целью данного изобретения является увеличение световой отдачи светового прибора на основе светодиодов. Указанная цель достигается тем, что...
- Способ изготовления резистивных элементов полупроводниковых резисторов
Изобретение относится к технологии мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления резистивных элементов полупроводниковых резисторов на каждом i-том резистивном элементе изготавливаемой партии резисторов до облучения...
- Тиристор с "мягким" восстановлением
Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании тиристоров с пониженной амплитудой тока обратного восстановления и увеличенным коэффициентом формы тока обратного восстановления....
- Высоковольтный импульсный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения с увеличенной энергией лавинного пробоя
Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании высоковольтных импульсных полупроводниковых симметричных ограничителей напряжения с малым значением динамического сопротивления и...
- Силовой беспотенциальный модуль с повышенным напряжением изоляции
Изобретение относится к производству силовых модулей на основе диодов, тиристоров, транзисторов и других полупроводниковых приборов и может использоваться в высоковольтной преобразовательной технике для различных отраслей промышленности, транспорта,...
- Высоковольтный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения
Использование: при конструировании полупроводниковых симметричных ограничителей напряжения с малым значением динамического сопротивления. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения выполнен состоящим из...