Патенты автора — Демидов Д.М.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 5, получены - 1996-2006
- C30 – Выращивание кристаллов
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
№ | Компания | Патенты |
---|---|---|
1 | ЗАО "Полупроводниковые приборы" | 5 |
- Инжекционный полупроводниковый лазер
Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Инжекционный полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную активную область с...
- Полупроводниковый инжекционный лазер
Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Согласно изобретению полупроводниковый инжекционный лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную...
- Эпитаксиальная полупроводниковая структура нитридов элементов группы а3
Использование: полупроводниковые приборы: светодиоды, лазерные диоды, биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в эпитаксиальной полупроводниковой структуре нитридов элементов группы А3 на кристаллической подложке между р-слоем и внешним...
- Способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы a3
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения. Сущность изобретения: способ получения эпитаксиальных структур нитридов...
- Инжекционный полупроводниковый лазер
Изобретение относится к области мощных (от 500 мВт до 5 Вт) инжекционных полупроводниковых лазеров, предназначенных для использования в различных областях науки и техники, например медицине, автоматике и робототехнике, связи, в том числе космической,...