Патенты автора — Духновский М.П.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 14, получены - 1993-2012
- B23 – Металлорежущие станки; способы и устройства для обработки металлов, не отнесенные к другим классам
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- C30 – Выращивание кристаллов
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ получения пластины комбинированного поликристаллического и монокристаллического алмаза
Изобретение относится к технологии химического осаждения из газовой фазы алмазных пленок и может быть использовано, например, для получения алмазных подложек, в которых монокристаллический и поликристаллический алмаз образует единую пластину,...
- Способ получения пористого слоя оксида алюминия на изолирующей подложке
Изобретение относится к области получения структур, используемых, например, для изготовления полевых транзисторов и элементов памяти, необходимых для применения в микроэлектронике, системотехнике. Предложен способ получения пористых слоев оксида...
- Гибридная интегральная схема свч
Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение...
- Интегральная схема свч
Изобретение относится к электронной технике, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат -...
- Металлизированная пластина алмаза для изделий электронной техники
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для монтажа и одновременно для отвода тепла от активных элементов как отдельных изделий электронной техники, так и радиоэлектронных устройств различного назначения. Сущность...
- Мощный полупроводниковый прибор
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: мощный полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковый кристалл, на одной стороне которого выполнен, по меньшей мере, один мощный схемный элемент, а противоположной стороной...
- Способ обработки поверхности детали из композиционного материала алмаз - карбид кремния - кремний
Изобретение относится к способам обработки поверхности деталей из композиционных материалов типа "алмаз - карбид кремния - кремний" и может быть использовано, в частности, при изготовлении инструмента и конструкционных деталей для машиностроения....
- Способ получения изделий из поликристаллического алмаза
Изобретение относится к технологии получения изделий из поликристаллического алмаза, получаемого из смеси метана и водорода в плазме разряда. Проводят подготовку подложки прорезанием на ней канавок с образованием площадки, соответствующей конфигурации...
- Способ определения теплофизических характеристик материала и устройство для его осуществления
Изобретение относится к измерительной технике. В способе, заключающемся в измерении разницы температур, однонаправленный композиционный и эталонный образцы выполнены одновременно в виде монолитного твердого материала матрицы. Эталонным образцом служит...
- Металлизированная пластина алмаза и способ ее изготовления
Изобретения могут быть использованы для монтажа элементов электронной техники. Техническим результатом изобретения является обеспечение высоких электрофизических параметров путем исключения деградации свойств пластины алмаза, при сохранении высокой...