Патенты автора — Двуреченский А.В.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 6, получены - 1992-2008
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ получения структурированной поверхности полупроводников
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении наноструктур. Способ получения структурированной поверхности полупроводников, заключающийся в том, что на поверхности полупроводниковой пластины...
- Способ ионизации атомарных или молекулярных потоков и устройство для его осуществления
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для ионизации атомарных или молекулярных потоков и формирования ионных пучков в полупроводниковой технологии в области молекулярно-лучевой эпитаксии. Способ ионизации включает многократную...
- Многоэлементное фотоприемное устройство с длинноволновой границей поглощения до 7 мкм
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к производству фотоприемных модулей, и может быть использовано в приборах ночного видения, тепловизорах, газоанализаторах. Техническим результатом изобретения является достижение...
- Многоэлементный ик-приемник на горячих носителях с длинноволновой границей 0,2 эв
Использование: производство полупроводниковых фотоприемных модулей, матриц. Сущность изобретения: приемник ИК-излучения на диапазон длин волн 1,5-6 мкм имеет слой монокристаллического высокоомного кремния, на котором выполнены в виде меза-структуры...
- Способ получения структур с захороненным металлическим слоем
Использование: в полупроводниковой микроэлектронике, а именно в технологии создания транзисторов со статической индукцией, с проницаемой или металлической базой, либо для получения встроенных слоев с металлической проводимостью в интегральных схемах....
- Способ получения слоев n-типа проводимости в образцах cdx hg1-xte р-типа
Испоьзование: в технологии изготовления фотоприборов. Сущность изобретения: способ заключается в обработке поверхности образца из CdxHg1-xTe p-типа в плазме высокочастотного разряда ускоренными ионами с энергией 1 - 10 эВ и плотностью тока 4-8 мкА/см2....