Патенты автора — Енишерлова-Вельяшева К.Л.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 10, получены - 1991-2012
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ диагностики полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе диагностики полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, включающем сканирование образца в условиях брэгговского отражения в пошаговом режиме, производимом...
- Способ структурной диагностики полупроводниковых многослойных структур (варианты)
Использование: для структурной диагностики полупроводниковых многослойных структур. Сущность заключается в том, что осуществляют сканирование образца в условиях брэгговского отражения с использованием -метода в пошаговом режиме рентгеновской...
- Способ контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур
Использование: для контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур. Сущность: заключается в том, что с помощью рентгеновской дифрактометрии при использовании скользящего первичного рентгеновского пучка получают...
- Способ полирования полупроводниковых материалов
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов для обработки обратной стороны структур с готовыми чипами, а также при изготовлении исходных пластин-подложек кремния, германия и...
- Солнечный элемент
Изобретение относится к конструкции солнечных элементов. Сущность: предложена конструкция солнечного элемента, содержащего базовую область одного типа проводимости, преимущественно толщиной 30-170 мкм, p-n-переход и контактную гребенку на лицевой...
- Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе
Использование: в полупроводниковой технике. Сущность изобретения: способ получения КНИ-структур с тонким слоем кремния, лежащим на диэлектрике, включает механическую обработку и химико-механическую полировку пластин кремния, формирование по крайней...
- Способ получения тонких монокристаллических полупроводниковых слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе формирования тонких монокристаллических слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале сначала проводят термокомпрессионное соединение...
- Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно...
- Устройство для низкотемпературного прямого соединения полупроводниковых пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: устройство для низкотемпературного прямого соединения полупроводниковых пластин включает основание, центрифугу с каруселью для размещения узлов крепления пластин, крышку для...
- Способ изготовления полупроводниковых структур
Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых структур, включающем предварительную механическую обработку пластин с получением основных срезов, прямое соединение пластин с совмещением одноименных кристаллографических направлений по...