Патенты автора — Грехов И.В.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 25, получены - 1986-2011
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- E21 – Бурение грунта или горных пород; горное дело
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Установка для одновременно-раздельной добычи углеводородов
Изобретение относится к технике добычи углеводородов и может быть использовано при добыче нефти как из одного пласта, так и при одновременно-раздельной добыче нефти из нескольких изолированных друг от друга пластов с использованием одной скважины....
- Способ эксплуатации скважины
Изобретение относится к нефтегазодобывающей промышленности и может быть использовано при добыче продукции из скважины, в частности нефти, при осложнениях, связанных с повышенным газовым фактором - высоким содержанием попутного газа в добываемой...
- Способ изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов
Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных...
- Способ изготовления интегрированных шоттки-pn диодов на основе карбида кремния
Изобретение относится к области электронной техники, а более конкретно - к технологии создания высоковольтных полупроводниковых диодов, и может быть использовано для создания интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния. Сущность...
- Интегрированный шоттки-pn диод на основе карбида кремния
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно - к конструкции высоковольтных выпрямительных диодов типа диодов Шоттки на основе карбида кремния. Сущность изобретения: интегрированный Шоттки-рn диод на основе карбида кремния...
- Высоковольтный полупроводниковый прибор
Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый прибор включает кремниевый диффузионный планарный...
- Сегнетоэлектрический элемент для запоминающего устройства с оптическим считыванием информации
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании датчиков оптического излучения видимой области спектра и преобразователей солнечной энергии. Техническим результатом является повышение точности и надежности...
- Запираемый тиристор и способ его работы
Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: запираемый тиристор с увеличенной рабочей частотой содержит по меньшей мере один кремниевый чип, состоящий из множества электрически соединенных параллельно p...
- Способ изготовления кремниевых структур
Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, изготовление кремниевых структур, содержащих р-слой кремния над и под границей раздела, при создании приборов сильноточной электроники и микроэлектроники. Сущность изобретения: способ...
- Способ изготовления кремниевых структур
Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, для изготовления приборов сильноточной электроники и микроэлектроники методом прямого сращивания. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых структур, заключается в полировке...