Патенты автора — Грехов И.В.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 25, получены - 1986-2011
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- E21 – Бурение грунта или горных пород; горное дело
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Импульсный генератор
Изобретение относится к области сильноточной полупроводниковой техники и может быть использовано в источниках питания мощных лазеров и в устройствах электрозарядной очистки промышленных отходов. Устройство содержит источник постоянного напряжения 1,...
- Переключатель
Изобретение относится к сильноточной полупроводниковой технике и может быть использовано в источниках питания мощных лазеров, в устройствах для очистки промышленных отходов, а также в мощных преобразователях в качестве сильноточного переключателя....
- Высоковольтный переключатель
Высоковольтный переключатель относится к сильноточной полупроводниковой электронике может быть использован в лазерной и ускорительной технике, при этом решается задача повышения надежности за счет стабилизации магнитного состояния дросселя (Др) и...
- Магнитный генератор импульсов
Использование: в области сильноточной полупроводниковой техники в источниках питания мощных лазеров. Сущность изобретения: обеспечение регулирования выходного напряжения магнитного генератора импульсов и повышение надежности его работы достигается тем,...
- Переключающее устройство
Использование: в источниках питания мощных лазерах и ускорителей, а также в преобразовательной технике в качестве переключающего устройства. Сущность изобретения: для уменьшения энергоемкости цепи управления и повышения надежности работы переключающего...
- Генератор импульсов
Изобретение относится к сильноточной электронике и может быть использовано в технике сильных магнитных полей. Задачей изобретения является уменьшение электромагнитного излучения генератора импульсов за счет изменения скорости спала тока в индуктивной...
- Полевой транзистор
Использование: в криоэлектронике при создании сверхпроводниковых интегральных схем. Сущность изобретения: полевой транзистор содержит монокристаллическую подложку, канал из сверхпроводящего материала, слой диэлектрического материала, два буферных слоя,...
- Способ изготовления силовых многослойных полупроводниковых структур
Использование: в технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, а именно при изготовлении мощных быстродействующих реверсивно включаемых динисторов. Сущность изобретения: в способе изготовления силовой многослойной полупроводниковой...
- Керамический материал
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании активных и пассивных элементов криоэлектронных схем, в особенности элементов на основе многослойных структур сверхпроводник-изолятор. Задачей изобретения является получение...
- Люминесцентный прибор
Использование: в оптоэлектронике. Сущность изобретения: люминесцентный прибор содержит легированную полупроводниковую подложку с размещенным на ней полупроводниковым слоем, туннельно - тонкий диэлектрический слой и прозрачный в видимой области спектра...