Патенты автора — Грехов И.В.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 25, получены - 1986-2011
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- E21 – Бурение грунта или горных пород; горное дело
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Полевой транзистор
Использование: в криоэлектронике при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности полностью сверхпроводниковых интегральных схем. Сущность изобретения: полевой транзистор выполнен на подложке из диэлектрического материала....
- Транзистор
Использование: интегральная микроэлектроника, конструкция сверхбыстродействующих транзисторов. Сущность изобретения: транзистор содержит коллектор из полупроводникового материала, базу из материала с металлической проводимостью и эмиттер, состоящий из...
- Полупроводниковый прибор
Использование: в полупроводниковой технике при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе высокопроводящие участки сформированы внутри базового слоя...
- Полупроводниковый генератор наносекундных импульсов
Изобретение относится к сильноточной полупроводниковой электронике и может быть использовано в лазерной и ускорительной технике. Цель изобретения является уменьшение потерь энергии в генераторе наносекундных импульсов на базе дрейфового диода с резким...
- Реверсивно-управляемый полупроводниковый прибор
Применение: в реверсивно-управляемых приборах транзисторного и тиристорного типа для уменьшения мощности цепи накачки при коммутации больших токов. Сущность изобретения: вполупроводниковую структуру в базовый слой на границе с эмиттерным слоем введены...