Патенты автора — Громов Д.Г.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 13, получены - 1992-2011
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ изготовления упорядоченных наноструктур
Применение: микро- и наноэлектроника, где упорядоченные наноструктуры могут использоваться в качестве эмиссионных катодов, штампов наноимпринтлитографии, калибраторов атомных силовых микроскопов, катализаторов для выращивания углеродных наноструктур и...
- Способ изготовления межсоединений полупроводникового прибора
Применение: микро- и наноэлектроника, микросистемная техника и наномеханика, где используются изолированные диэлектриком проводники. Сущность изобретения: способ изготовления межсоединений полупроводникового прибора включает формирование в изолирующем...
- Пьезоэлектрический прибор
Изобретение относится к пьезоэлектронике и может быть использовано в миниатюрных преобразователях механической энергии в электрическую и электрической энергии с механическую, датчиках перемещений, звукоизлучающих устройствах, исполнительных и...
- Способ изготовления солнечного элемента на основе барьера шотки
Использование: энергетика, радио-, электронная промышленность, приборостроение, где используются автономные маломощные источники питания. В способе изготовления солнечного элемента с барьером Шотки, включающем осаждение на проводящую подложку или любую...
- Способ заполнения углублений проводящим материалом
Использование: микро- и наноэлектроника, микро- и наномеханика, где используются изолированные диэлектриком проводники. Сущность изобретения: в способе заполнения в твердом теле углублений проводящим материалом, включающем нанесение на поверхность...
- Способ изготовления полупроводникового прибора
Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к технологии изготовления интегральной схемы на кремнии. Сущность изобретения: способ включает формирование на подложке активных областей приборов, маскирование, вскрытие контактных окон к...
- Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур кремний - на - изоляторе для СБИС. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур кремний на изоляторе и процента выхода годных структур за счет...
- Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Технический результат - повышение...
- Структура кремний-на-изоляторе для сбис
Использование: при производстве СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: структура кремний-на-изоляторе для СБИС содержит области кремния, изолированные первым слоем диэлектрика...
- Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис (варианты)
Использование: микроэлектроника, технология изготовления СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в способе создания структуры -кремний на изоляторе для СБИС, включающем...