Патенты автора — Громов В.И.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 26, получены - 1990-2011
- A47 – Мебель; предметы домашнего обихода и бытовые приборы; мельницы для кофе и специй; пылесосы вообще
- A61 – Медицина и ветеринария; гигиена
- A63 – Спорт; игры; массовые развлечения
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- B28 – Обработка цемента, глины и камня
- C02 – Обработка воды, промышленных и бытовых сточных вод или отстоя сточных вод
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C08 – Органические высокомолекулярные соединения; их получение или химическая обработка; композиции на основе этих соединений
- C22 – Металлургия; сплавы черных или цветных металлов; обработка сплавов или цветных металлов
- E03 – Водоснабжение; канализация
- F16 – Узлы и детали машин; общие способы и устройства, обеспечивающие нормальную эксплуатацию машин и установок; теплоизоляция вообще
- F27 – Нагревательные, обжиговые, плавильные и ретортные печи
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- H04 – Техника электрической связи
- Теплостойкая подшипниковая сталь
Изобретение относится к области металлургии, а именно к созданию теплостойких сталей для подшипников, работающих при температуре до 500°С и используемых, например, для авиационных газотурбинных двигателей (ГТД) и редукторов вертолетов. Сталь содержит...
- Способ изготовления высоковольтного биполярного транзистора с изолированным затвором
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором на основе кремния. Техническим результатом изобретения является...
- Способ сборки многокристального полупроводникового прибора с прижимным контактом
Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике, в частности к технологии сборки многокристальных полупроводниковых приборов с прижимным контактом. Изобретение обеспечивает повышение надежности в работе и простоты применения за счет...
- Способ изготовления корпуса по размерам кристалла интегральной микросхемы
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе изготовления корпуса по размерам кристалла интегральной микросхемы, включающем присоединение к лицевой стороне исходной кремниевой пластины со сформированным кристаллом...
- Способ передачи дискретных электрических сигналов
Изобретение относится к способам передачи информации, а именно к интерфейсам связи электронных устройств. Передатчик и приемник расположены на двухпроводной линии связи, конец которой подключен к источнику напряжения питания через ограничительный...
- Пробка выпуска санитарно-технического прибора
Изобретение относится к санитарно-техническому оборудованию и может быть использована в купальных или гидромассажных ваннах, умывальниках, мойках и других приборах с емкостью для заполнения жидкостью. Техническим результатом является расширение области...
- Спускная арматура
Изобретение относится к санитарно-техническому оборудованию и может быть использовано в смывных бачках для унитазов. Техническим результатом является упрощение конструкции и монтажа, обеспечение универсальности применения в смывных бачках, отличающихся...
- Водоразборный смеситель
Изобретение относится к санитарно-техническому оборудованию и предназначено для использования в купальных ваннах, душах, умывальниках, мойках и биде. Водоразборный смеситель содержит корпус входной вентильной головки с патрубками холодной и горячей...
- Гидромассажное устройство детской купальной ванны
Изобретение относится к санитарно-техническому оборудованию и может быть использовано для гидромассажа детей в детских ваннах. Устройство подключается к патрубку душа водоразборного смесителя обычной купальной ванны, имеет струйный аппарат с...
- Способ изготовления полупроводниковой структуры
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам получения полупроводниковых структур с диэлектрической изоляцией. Способ позволяет улучшить геометрические параметры полупроводниковых структур, которые заключаются в снижении прогиба и...