Патенты автора — Гурин Н.Т.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 8, получены - 1991-2011
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Фотоэлектрический преобразователь углов на основе позиционно-чувствительного фотоприемника дуговой конфигурации
Фотоэлектрический преобразователь углов содержит светонепроницаемый корпус с входной осью вращения преобразователя, на которой закреплено тело вращения, координатно-чувствительный полупроводниковый фотоприемник дуговой конфигурации с фоточувствительным...
- Двухполюсный полупроводниковый позиционно-чувствительный фотоприемник с отрицательной дифференциальной проводимостью
Изобретение может найти применение в различных узлах автоматики, устройствах управления и позиционирования. Фотоприемник, согласно изобретению, представляет собой комбинированный прибор, реализованный на основе полупроводникового прибора с...
- Полупроводниковый прибор со встроенной защитой в цепях управления и нагрузки
Изобретение относится к области электроники, полупроводниковой техники, а именно к полупроводниковым приборам с отрицательной дифференциальной проводимостью и со встроенной защитой от пробоя. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе со...
- Фотоприемник с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры
Изобретение относится к оптоэлектронике и, в частности, к полупроводниковым фотоприемникам с отрицательной проводимостью (ОП) и может быть использовано в качестве фотодатчика, управляемого одним или несколькими световыми потоками, фотоприемного...
- Биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором
Использование: в области полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором содержит первый (коллекторный) слой первого типа проводимости, на котором расположены последовательно второй слой второго...
- Интегральный транзистор с защитой от перенапряжений
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Интегральный транзистор с защитой от перенапряжений содержит коллекторную область первого типа проводимости, базовую область второго типа...
- Фотосимистор на основе полупроводниковой структуры
Изобретение относится к оптоэлектронике и, в частности, к полупроводниковым фотоприемникам с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС) и симметричной относительно начала координат вольтамперной характеристикой (ВАХ) и может быть использовано...
- Коммутирующее устройство
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для коммутации электролюминесцентных излучателей, возбуждаемых знакопеременным напряжением. Коммутирующее устройство содержит в каждой из м ячеек полупроводниковый (ПЭ)1 с...