Патенты автора — Китаева Т.И.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 4, получены - 2009-2012
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников
Использование: для определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников. Сущность: заключается в том, что поверхность анализируемого объекта облучают ионами инертных газов низких энергий,...
- Способ определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины
Использование: для определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины. Сущность заключается в том, что выполняют бомбардировку поверхности пучком ионов и регистрацию интенсивности отраженных ионов, при этом анализируемую...
- Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона
Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов...
- Источник постоянного тока
Изобретение относится к электрохимической и электротехнической промышленностям и может быть использовано в разработке производства источников постоянного тока в виде аккумуляторов, источников разового пользования и непрерывного действия аналогично...