Патенты автора — Константинов П.Б.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 8, получены - 2003-2007
- B23 – Металлорежущие станки; способы и устройства для обработки металлов, не отнесенные к другим классам
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Твердотельная матрица вакуумных фотоэлектрических преобразователей электромагнитного излучения
Изобретение относится к области производства вакуумных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) электромагнитного излучения, а именно - к области производства твердотельных матриц для ФЭП, и может быть использовано при изготовлении указанных матриц....
- Фотопреобразователь
Изобретение относится к области производства твердотельных фоточувствительных полупроводниковых приборов, а именно к области производства преобразователей мощности света в электрический ток, и может быть использовано при изготовлении указанных...
- Электронно-чувствительная матрица с переносом заряда для электронно-оптических преобразователей (варианты)
Изобретение относится к области производства электронно-оптических приборов, а именно к области производства электронно-чувствительных матриц для электронно-оптических преобразователей (ЭОП), и может быть использовано при изготовлении указанных...
- Способ соединения двух твердотельных образцов
Изобретение может быть использовано для соединения несмачиваемых припоем диэлектрических материалов, а именно полупроводниковых пластин с диэлектрическими слоями. Проводят предварительное напыление на соединяемые поверхности, по меньшей мере, двух...
- Способ изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к области производства полупроводниковых кремниевых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых приборов на кремниевых пластинах с кристаллографической ориентацией {100} характеризуется созданием на одной...
- Солнечный элемент
Изобретение относится к конструкции солнечных элементов. Сущность: предложена конструкция солнечного элемента, содержащего базовую область одного типа проводимости, преимущественно толщиной 30-170 мкм, p-n-переход и контактную гребенку на лицевой...
- Способ обработки полупроводниковых пластин
Использование: в полупроводниковой технике при изготовлении супертонких полупроводниковых структур и мембран. Сущность изобретения: в способе обработки полупроводниковых пластин, включающем наклейку пластин на планшайбу с использованием прижима,...
- Способ изготовления полупроводниковых структур
Использование: в полупроводниковой технике при изготовлении супертонких полупроводниковых структур, имеющих толщину подложки на уровне 6-50 мкм. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение качества и точности обработки...