Патенты автора — Кривошеева А.Н.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 2, получены - 2007-2008
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Полупроводниковая сэндвич-структура 3с-sic/si, способ ее получения и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием
Группа изобретений относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении микромеханических приборов. Сущность изобретения: полупроводниковая сэндвич-структура 3С-SiC/Si содержит последовательно расположенные кремниевую подложку...
- Чувствительный элемент мембранного типа и способ его изготовления
Изобретение предназначено для использования в конструкции и технологии производства широкого класса микроэлектронных приборов. Чувствительный элемент (ЧЭ) содержит подложку из монокристаллического кремния, двухслойную мембрану, включающую слой Si 3N4 и...