Патенты автора — Крутова Л.И.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 3, получены - 2006-2012
- C30 – Выращивание кристаллов
- Способ выращивания алюмо иттриевого граната, легированного ванадием
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, в частности к получению материалов для лазерной техники, предназначенных для модуляции добротности лазерного излучения (пассивным лазерным затворам). Способ выращивания алюмоиттриевого...
- Серийный способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра. Серийный способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов осуществляют...
- Способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра. Кристаллы выращивают методом Чохральского из расплава исходной шихты, содержащей смесь...