Патенты автора — Крюков В.Л.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 3, получены - 2008-2013
- C30 – Выращивание кристаллов
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
| № | Компания | Патенты |
|---|---|---|
| 1 | ООО ООО "Юник Ай Сиз" | 1 |
- Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4,...
- Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкостной эпитаксии
Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений A3B5 методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой...
- Способ изготовления тонкопленочного полупроводникового лазера на основе тонкой многопроходной излучающей p-n-гетероструктуры
Для достижения названного технического результата выполняют следующие технологические операции: выращивают на ростовой подложке тонкую эпитаксиальную лазерную р-n-гетероструктуру с широкозонными эмиттерами, волноводным переизлучающим слоем и тонкой...