Патенты автора — Лапин В.Г.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 18, получены - 1990-2011
- A21 – Хлебопекарное производство; оборудование для производства или обработки теста; тесто для выпечки
- B65 – Транспортировка, упаковка и хранение грузов или материалов, в том числе тонких и нитевидных
- F02 – Двигатели внутреннего сгорания
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки включает изготовление на лицевой поверхности полуизолирующей подложки с активным слоем, по меньшей мере, одной пары...
- Мощный полевой транзистор свч
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: мощный полевой транзистор СВЧ содержит полупроводниковую подложку со структурой слоев, которая выполнена в виде прямой последовательности полуизолирующего слоя, n+ типа проводимости...
- Гибридная интегральная схема свч-диапазона
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной...
- Способ металлизации элементов изделий электронной техники
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ металлизации элементов изделий электронной техники включает нанесение на одной из поверхностей подложки с предварительно сформированной топологии элементов соответствующего...
- Способ изготовления диэлектрической пленки для полупроводниковых структур электронной техники
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии полупроводниковых структур. Сущность изобретения: в способе изготовления диэлектрической пленки для полупроводниковых структур электронной техники, включающем формирование, по меньшей...
- Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки
Изобретение относится к электронной технике. Мощный СВЧ полевой транзистор с барьером Шотки содержит полуизолирующую подложку арсенида галлия с активным слоем, гребенку из чередующейся, по меньшей мере, более одной последовательности единичных...
- Гибридная интегральная схема свч-диапазона
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизации, а на обратной стороне -...
- Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки, выполненный на полуизолирующей подложке полупроводникового материала группы АIIIBV с активным слоем, включает изготовление...
- Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки
Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является повышение выходной мощности и коэффициента усиления по мощности и, следовательно, повышение коэффициента полезного действия СВЧ полевого транзистора с барьером...
- Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона
Изобретение относится к электронной технике, преимущественно к конструированию мощных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом является улучшение теплоотвода и электрических характеристик гибридной интегральной схемы....