Патенты автора — Лукасевич М.И.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 29, получены - 1992-2008
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Безэпитаксиальная структура биполярного транзистора
Изобретение относится к микроэлектронике. В безэпитаксиальной структуре биполярного транзистора, включающей области коллектора, базы и эмиттера в пластине кремния, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, при этом контакты к областям базы и...
- Бикмоп-прибор и способ его изготовления
Изобретение относится к области микроэлектроники. Сущность изобретения: БиКМОП-прибор содержит первый МОП-транзистор, содержащий истоковую и стоковую области, электроды к областям истока и стока из первого и второго слоев поликристаллического кремния и...
- Способ изготовления принтерной головки с тонкопленочным резистором и принтерная головка
Использование: в производстве струйных принтеров, а именно печатающих головок для струйных принтеров, имеющих небольшие отверстия в головке, через которые по программе выбрасываются чернильные капельки. Сущность изобретения: в способе изготовления...
- Способ изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки с тонкопленочным резистором
Использование: в производстве струйных принтеров, а именно печатающих головок для струйных принтеров, имеющих небольшие отверстия в головке, через которые по программе выбрасываются чернильные капельки. Сущность изобретения: в способе изготовления...
- Способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем
Использование в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления интегральных схем (ИС) с использованием комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP с носителями разного типа проводимости. Сущность изобретения: способ изготовления...
- Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления
Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров содержит кремниевую подложку первого типа проводимости со скрытым слоем второго типа проводимости, размещенный на подложке...
- Способ изготовления автомасштабируемой бикмоп структуры
Использование: микроэлектроника, технология изготовления БиКМОП структур, включающих биполярные и полевые транзисторы с субмикронными размерами элементов. Сущность изобретения: в кремниевой подложке создают карманы первого и второго типа проводимости,...
- Способ изготовления автомасштабируемого биполярного транзистора
Использование: в микроэлектронике, в технологии изготовления интегральных схем высокой степени интеграции на биполярных транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает нанесение на подложку кремния первого слоя...
- Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур кремний - на - изоляторе для СБИС. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур кремний на изоляторе и процента выхода годных структур за счет...
- Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Технический результат - повышение...