Патенты автора — Махов В.И.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 9, получены - 1991-1998
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Магнетрон
Изобретение относится к магнетронам и имеет своей целью повышение эффективности использования рабочей поверхности автоэлектронных эмиттеров, надежности приборов в условиях повышенного механического воздействия. Магнетрон содержит анод и коаксиально...
- свч-прибор м-типа
Изобретение относится к СВЧ-приборам М-типа. Техническим результатом является повышение эффективности использования рабочей поверхности автоэлектронных эмиттеров, повышение их надежности с одновременным увеличением стабильности автоэлектронной эмиссии...
- Катодный узел для электронных приборов и электронный прибор
Изобретение относится к вакуумной электронике, а более конкретно - к автоэлектронным катодам и вакуумным приборам, работающим на основе автоэлектронной эмиссии. В катодный узел, содержащий автоэлектронный и вторично-электронный эмиттеры, введена...
- Магнетрон
Использование: в приборах СВЧ М-типа. Сущность изобретения: в катодном узле, имеющем вторично-эмиссионную и автоэмиссионную части, последняя изолирована от вторично-эмиссионной части и приспособлена для поддержания ее под потенциалом, отличным от...
- Магнетрон
Использование: для обеспечения в магнетроне напряженности поля, при которой автоэлектронная эмиссия будет достаточна для возбуждения магнетрона и мгновенного запуска без предварительного разогрева катода. Сущность изобретения: в магнетроне, содержащем...
- Свч-прибор м-типа
Использование: в СВЧ приборах М-типа с автоэлектронным запуском. Сущность изобретения: с целью создания конструкции СВЧ-прибора, работающего при малых рабочих напряжениях (от киловольт до сотен вольт и ниже), в приборе, содержащем анод 1 и коаксиально...
- Магнетрон
Использование: в приборах СВЧ М-типа, в частности, в магнетронах с малым временем готовности. Сущность изобретения: ток возбуждения магнетрона обеспечивается автоэлектронной эмиссией с обращенного к аноду края элемента, обеспечивающего первичную...
- Способ получения кристаллических буферных слоев
Использование: при производстве приборов и устройств полупроводниковой электроники, а также криоэлектроники. Диэлектрический слой осаждают в виде аморфного материала при температуре подложки не свыше 300C, а затем осуществляют нагрев слоя до...
- Свч-прибор м-типа
Использование: электронная техника, в частности СВЧ-приборы М-типа с малым временем готовности. Сущность изобретения: прибор содержит керн 1, с размещенными на нем виторичными электронными эмиттерами 2, между которыми расположены автоэлектронные...