Патенты автора — Овсюк В.Н.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 7, получены - 1989-2011
- G01 – Измерение
- G11 – Накопление информации
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Сдвиговый регистр
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении реверсивности сдвига информации внутри сдвигового регистра. Сдвиговый регистр содержит ячейки, каждая из которых состоит из трех n-МОП транзисторов, двух...
- Способ изготовления диэлектрического слоя
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления микроболометрических матриц неохлаждаемых фотоприемников ИК диапазона. В способе на подложку осаждают слой диэлектрика из газовой...
- Способ сборки фотоприемных устройств
Использование: технология сборки фотоприемных устройств, выполненных на основе полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: в способе сборки фстоприемных устройств, включающем напыление индиевых столбов на полупроводниковые материалы с...
- Способ изготовления матриц полупроводниковых приборов на подложках cdxhg1xte
Использование: изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может найти применение для создания матриц, например, п-р переходов или других полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления матриц...
- Способ изготовления фотоприемного элемента на основе многослойных гетероструктур ga as/al ga as
Использование: в полупроводниковой технике и при изготовлении одиночных и многоэлементных фотоприемных устройств. Сущность изобретения: способ заключается в нанесении на подложку из полуизолирующего арсенида галлия последовательности слоев. Между...
- Способ изготовления n - p-переходов в монокристаллах cdx hg1-xte
Использование: в технологии изготовления фотоприемников инфракрасного излучения. Сущность изобретения: на исходных кристаллах Cdx Hg1-x Те с = 0,190-0,250 p-типа проводимости размещают индиевую фольгу и помещают полученный сендвич в замкнутый объем,...
- Устройство для измерения характеристик полупроводников
Использование: для определения добротности, концентрации легирующей примеси и глубоких примесных центров в полупроводниковых материалах, пленках и приборов (МДП-структуры, p-n-переходы, контакты металл - полупроводник, эпитаксиальные слои и др)....