Патенты автора — Перевощиков В.А.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 10, получены - 1991-2005
- B28 – Обработка цемента, глины и камня
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ надрезания/разрезания пластин отрезным кругом
Изобретение относится к области глубинного шлифования, точнее к процессу надрезания/разрезания пластин из твердых и хрупких труднообрабатываемых неметаллических материалов ультратонким отрезным алмазным кругом на специализированных установках резки....
- Пленочный лазерный материал и способ его получения
Использование: в области лазерной техники для создания перестраиваемых лазеров, используемых в линиях волоконно-оптической связи, оптоэлектронике и спектроскопии. Техническим результатом изобретения является создание химически стойкого...
- Способ обработки кремниевых подложек
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния, предназначенных для создания дискретных приборов и интегральных микросхем. Техническим...
- Способ обработки кремниевых подложек
Использование: при изготовлении высококачественных пластин-подложек из монокристаллического кремния. Технический результат способа - повышение однородности распределения электрофизических характеристик кремниевых подложек вблизи их рабочей стороны....
- Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке
Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке. Использование: в области технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для формирования мембран наносят защитное покрытие на поверхность кремния,...
- Способ исследования поверхности микрообъектов и устройство для его реализации
Использование: для исследования поверхностных слоев вещества методами СВЧ и сканирующей туннельной спектроскопии. Сущность изобретения: в промежутке между проводящей иглой и поверхностью микрообъекта создают постоянное электрическое поле, регистрируют...
- Способ подготовки поверхности пластин кремния
Использование: изготовление подложек из монокристаллического кремния для создания на них дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем в микроэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении подложек монокристаллического кремния...
- Способ определения топографии поверхности вещества посредством сканирующего туннельного микроскопа
Относится к области приборостроения, в частности к сканирующей туннельной микроскопии, используемой для исследования поверхности проводящих веществ. Способ определения топографии поверхности вещества посредством сканирующего туннельного микроскопа...
- Способ разделения монокристаллических слитков на пластины
Использование в электронной промышленности при изготовлении полупроводниковых подложек. Сущность изобретения: после отрезания от слитка первой пластины с нее механическим и химическим полированием с обеих сторон удаляют нарушенный слой. На стороне,...
- Хитин для поглощения электромагнитной энергии в диапазоне свч
Использование: в радиотехнике для поглощения электромагнитной энергии в СВЧ-диапазоне. Сущность изобретения: применение хитина, полученного, например, из панциря камчатского краба по методу Хакмана, в качестве радиопоглощающего материала в диапазоне...