Патенты автора — Ральченко В.Г.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 9, получены - 1997-2011
- B24 – Шлифование; полирование
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- E21 – Бурение грунта или горных пород; горное дело
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Буровая коронка
Изобретение относится к породоразрушающему инструменту, а именно к буровым коронкам, и может быть использовано при бурении геологоразведочных скважин. Обеспечивает высокую стойкость, максимальную разрушающую способность, устранение катастрофического...
- Сверхтвердый материал
Изобретение относится к получению сверхтвердого материала, который содержит CVD-алмаз и который может быть использован при изготовлении инструмента для правки шлифовальных кругов, режущего, бурового инструмента и др. Поверхность CVD-алмаза частично или...
- Свч плазменный реактор
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору и может найти применение при формировании пленки большого размера, соизмеримого по диаметру с длиной СВЧ волны. Реактор содержит герметичную осесимметричную камеру с каналами для газа и установленные в...
- Способ изготовления полупроводникового прибора
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n...
- Способ полирования поверхности поликристаллических алмазов
Изобретение относится к обработке поверхности поликристаллических алмазов, полученных методом химического осаждения из газовой фазы, и может быть использовано для производства элементов микроэлектроники и силовой оптики лазеров с высокой мощностью...
- Алмазный детектор
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при создании приборов микро- и оптоэлектроники на основе алмаза, в том числе для контроля температурного режима в элементах алмазной электроники. Предложен алмазный детектор на...
- Свч плазменный реактор
Изобретение относится к металлообработке, в частности к СВЧ плазменному реактору, и может найти применение в машиностроении и металлургии при изготовлении изделий с покрытиями, полученными способом плазменного парофазного химического осаждения пленок....
- Полевой эмиттер электронов и способ его изготовления (варианты)
Изобретение относится к материалам электронной техники, а более конкретно к электродным материалам для полевой эмиссии. Эмиттер выполнен из однородного по составу материала, содержащего зерна алмаза, связанные между собой графитоподобным углеродом, и...
- Материал на основе алмаза с низким порогом полевой эмиссии электронов
Изобретение относится к области материалов электронной техники, а более конкретно - к электродным материалам для полевой эмиссии. Материал выполнен из частиц алмаза, связанных между собой графитоподобной углеродной матрицей, при этом размер частиц...