Патенты автора — Саркаров Т.Э.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 11, получены - 1991-2009
- B22 – Литейное производство; порошковая металлургия
- C01 – Неорганическая химия
- C22 – Металлургия; сплавы черных или цветных металлов; обработка сплавов или цветных металлов
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ обработки подложек в жидкостном травителе
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам обработки подложек для формирования контактных окон. Техническим результатом изобретения является обеспечение качества рисунка,...
- Способ получения пленок оксида циркония
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения тонкопленочных конденсаторов. Сущность изобретения: в способе получения пленок оксида циркония подложки подвергают обработке гомогенной газовой...
- Способ получения защитных пленок на основе окиси гафния
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения защитных пленок. Сущность изобретения: способ получения защитных пленок на основе окиси гафния включает формирование на поверхности подложки...
- Устройство для получения металлических лент с заданной аморфной структурой
Изобретение относится к устройствам для получения металлических лент с аморфной структурой. Устройство содержит индуктор с расположенным в нем плавящимся металлическим стержнем и вращающийся барабан с охлаждаемой поверхностью. Барабан выполнен в виде...
- Способ получения борофосфорсиликатных пленок
Использование: в технологии получения полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: на поверхности подложки формируют легированный бором и фосфором слой двуокиси кремния при 50-200°С, осаждением из газовой фазы за счет реакций между тетрахлоридом...
- Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с кристаллодержателем и стабильности...
- Способ получения защитных пленок
Использование: в технологии получения полупроводниковых приборов, в частности в способах получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Та2О5). Техническим результатом изобретения является получение...
- Способ получения тонкопленочного диэлектрика оксида алюминия в производстве металл-диэлектрик-полупроводник устройств
Использование: при получении тонкопленочного диэлектрика оксида алюминия в производстве металл-диэлектрик-полупроводник устройств. Сущность: на поверхности подложки формируют тонкопленочный диэлектрик оксида алюминия при температуре 180-400oC...
- Способ получения борсодержащих пленок
Использование: получение борсодержащих пленок. Процесс получения борсодержащих пленок ведут из газовой фазы, содержащей гомогенную смесь тетрахлорида кремния (SiCl4), кислорода с добавкой окиси азота и трихлорида бора при температурах 50 - 200oС, при...
- Способ термической обработки контактных пружин из бериллиевой бронзы
Способ термической обработки контактных пружин из бериллиевой бронзы. Сущность изобретения: контактные пружины из бериллиевой бронзы подвергают термической обработке на оправке, в качестве которой используют стальную пластину с вырезанными пазами по...