Патенты автора — Сегал А.С.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 14, получены - 1992-2009
- A61 – Медицина и ветеринария; гигиена
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- C30 – Выращивание кристаллов
- Способ выращивания монокристаллов карбида кремния
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. В ростовой камере, снабженной теплоизоляцией, размещают параллельно одна...
- Способ выращивания кристаллов нитридов металлов iii группы
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем нанесения полупроводниковых материалов на подложку и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Способ выращивания кристаллов нитридов металлов III группы из газовой...
- Устройство для выращивания кристаллов
Изобретение относится к конструкции устройств, специально предназначеных для выращивания кристаллов из газовой фазы путем химических реакций реакционноспособных газов. Устройство для выращивания кристаллов из газовой фазы, преимущественно нитридов...
- Способ выращивания монокристаллов нитрида галлия
Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов на подложке путем химических реакций реакционноспособных газов и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Способ предусматривает подачу к контейнеру с...
- Способ выращивания монокристаллического нитрида алюминия
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из паров, в частности к выращиванию монокристаллов нитрида алюминия конденсацией испаряемого или сублимируемого материала. Способ предусматривает размещение в ростовой камере друг напротив друга...
- Способ выращивания монокристаллического нитрида алюминия и устройство для его осуществления
Изобретение относится к выращиванию кристаллов из паров, в частности к выращиванию монокристаллов нитрида алюминия конденсацией испаряемого и сублимируемого материала. Способ предусматривает размещение в ростовой камере друг напротив друга подложки и...
- Способ лечения и профилактики эректильной дисфункции
Изобретение относится к области медицины, а именно к лечению и профилактике нарушений эрекции у мужчин, ведущих половую жизнь, а также и в периоды отсутствия сексуальной партнерши. Способ включает курсовое введение эректогенных лекарственных средств,...
- Способ эпитаксиального выращивания монокристаллического нитрида алюминия и ростовая камера для осуществления способа
Изобретение может быть использовано при производстве полупроводников для электронной промышленности. Способ эпитаксиального выращивания монокристаллического нитрида алюминия из смеси азота и паров алюминия включает размещение в ростовой камере (3) друг...
- Вакуумный эректор
Изобретение относится к медицине, в частности к сексопатологии, и может быть использовано при лечении импотенции. Устройство содержит источник вакуума, через гибкий шланг и управляющий клапан соединенный с вакуумной камерой. Вакуумная камера состоит из...
- Лечебно-профилактическое средство "простанорм" для лечения простатитов, уретритов и других воспалительных заболеваний мочеполовой сферы
Использование: в химико-фармацевтической промышленности в качестве лечебно-профилактического средства при простатитах, уретритах и других воспалительных заболеваний мочеполовой сферы. Сущность: композиция содержит: солодку голую (корни), зверобой...