Патенты автора — Шенгуров В.Г.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 11, получены - 1991-2011
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Установка вакуумного напыления
Изобретение относится к технике получения пленок молекулярно-лучевым осаждением и использованием резистивных источников напыляемого материала. Техническим результатом изобретения является повышение стабилизации скорости испарения, воспроизводимости...
- Способ изготовления полупроводниковой структуры молекулярно-лучевой эпитаксией и установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Изобретение относится к микроэлектронике. Техническим результатом изобретения является повышение качества полупроводниковых структур и расширение функциональных возможностей способа и установки за счет реализации возможности и получения многослойных...
- Сублимационный источник напыляемого материала для установки молекулярно-лучевой эпитаксии
Изобретение относится к технологическому оборудованию для нанесения полупроводниковых материалов на подложку эпитаксиальным наращиванием и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов микро- и оптоэлектроники. Сущность...
- Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в вакуумной установке для изготовления полупроводниковой структуры установлены средства образования молекулярного потока исходного полупроводникового материала и устройство для нагрева...
- Лавинный фотодиод
Изобретение может быть использовано в оптических системах связи, в системах измерения в качестве оптоэлектронного датчика, в том числе в системах детектирования частиц высоких энергий, в интегральной оптоэлектронике. Лавинный фотодиод содержит...
- Устройство для вакуумного напыления пленок
Изобретение относится к технике получения пленок в вакууме, в частности к устройству для вакуумного напыления пленок, и может быть использовано для эпитаксиального выращивания слоев при изготовлении полупроводниковых приборов, устройств интегральной...
- Способ обработки кремниевых подложек
Использование: при изготовлении высококачественных пластин-подложек из монокристаллического кремния. Технический результат способа - повышение однородности распределения электрофизических характеристик кремниевых подложек вблизи их рабочей стороны....
- Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке
Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке. Использование: в области технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для формирования мембран наносят защитное покрытие на поверхность кремния,...
- Способ подготовки поверхности пластин кремния
Использование: изготовление подложек из монокристаллического кремния для создания на них дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем в микроэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении подложек монокристаллического кремния...
- Датчик газоанализатора
Сущность изобретения: датчик содержит кремниевую подложку со сквозным отверстием, покрытым с рабочей стороны датчика мембраной из диоксида кремния. На мембране последовательно расположены пленочный нагреватель, слой диэлектрика, газочувствительный...