Патенты автора — Шенгуров В.Г.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 11, получены - 1991-2011
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Установка вакуумного напыления
Изобретение относится к технике получения пленок молекулярно-лучевым осаждением и использованием резистивных источников напыляемого материала. Техническим результатом изобретения является повышение стабилизации скорости испарения, воспроизводимости...
- Способ изготовления полупроводниковой структуры молекулярно-лучевой эпитаксией и установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Изобретение относится к микроэлектронике. Техническим результатом изобретения является повышение качества полупроводниковых структур и расширение функциональных возможностей способа и установки за счет реализации возможности и получения многослойных...
- Сублимационный источник напыляемого материала для установки молекулярно-лучевой эпитаксии
Изобретение относится к технологическому оборудованию для нанесения полупроводниковых материалов на подложку эпитаксиальным наращиванием и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов микро- и оптоэлектроники. Сущность...
- Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в вакуумной установке для изготовления полупроводниковой структуры установлены средства образования молекулярного потока исходного полупроводникового материала и устройство для нагрева...
- Лавинный фотодиод
Изобретение может быть использовано в оптических системах связи, в системах измерения в качестве оптоэлектронного датчика, в том числе в системах детектирования частиц высоких энергий, в интегральной оптоэлектронике. Лавинный фотодиод содержит...
- Устройство для вакуумного напыления пленок
Изобретение относится к технике получения пленок в вакууме, в частности к устройству для вакуумного напыления пленок, и может быть использовано для эпитаксиального выращивания слоев при изготовлении полупроводниковых приборов, устройств интегральной...
- Способ обработки кремниевых подложек
Использование: при изготовлении высококачественных пластин-подложек из монокристаллического кремния. Технический результат способа - повышение однородности распределения электрофизических характеристик кремниевых подложек вблизи их рабочей стороны....
- Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке
Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке. Использование: в области технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для формирования мембран наносят защитное покрытие на поверхность кремния,...
- Способ подготовки поверхности пластин кремния
Использование: изготовление подложек из монокристаллического кремния для создания на них дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем в микроэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении подложек монокристаллического кремния...
- Датчик газоанализатора
Сущность изобретения: датчик содержит кремниевую подложку со сквозным отверстием, покрытым с рабочей стороны датчика мембраной из диоксида кремния. На мембране последовательно расположены пленочный нагреватель, слой диэлектрика, газочувствительный...
Публикации
- Патент на полезную модель образец
В нашей стране, да и не только в нашей живет огромное количество изобретателей. К сожалению не все они получают законные лавры своих творений из-за неоформленного вовремя патента.
Определение
Именно патент подтверждает право... - Как запатентовать изобретение
Чтобы результат личного творчества или коллективного труда имел определенные гарантии защиты, необходимо иметь на него соответствующий документ. Получить патент на изобретение...
- Подача заявки на выдачу патента
Подача заявки на выдачу патента может осуществляться несколькими способами. Для этого можно посетить лично Патентное ведомство, отправить заявку по почте или по факсу. Последний вариант предусматривает свои особенности оформления, с...
- Авторы и патентообладатели
При создании нового изобретения, каждому автору следует незамедлительно зарегистрировать его в Роспатенте. Это даст ему право на дальнейшее распоряжение своим авторством в полной мере. Дело в том, что патентообладатель имеет немного...
- Источники авторского права
Все права создателей любого происхождения и гражданства охраняются гражданскими кодексами их государств. В некоторых случаях такую защиту может предоставлять и законодательство другой страны, например, на территории которой было создано...