Патенты автора — Скупов В.Д.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 53, получены - 1991-2011
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ определения коэффициента относительной эффективности и эквивалентной дозы источника рентгеновского излучения
Изобретение относится к области измерительной техники. Технический результат - получение в реальном масштабе времени величины коэффициента относительной эффективности и эквивалентной дозы источника рентгеновского излучения, что позволяет по известной...
- Способ модификации поверхностей металлов или гетерогенных структур полупроводников
Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в космических технологиях, авиастроении, автомобилестроении, станкостроении, технологиях создания строительных материалов и конструкций, в области трубопроводного транспорта и в...
- Способ отбора стойких к воздействию полной поглощенной дозы ионизирующего излучения транзисторных структур технологии кмоп/кнд
Изобретение относится к области измерительной техники. Сущность изобретения: в способе отбора стойких к воздействию полной поглощенной дозы ионизирующего излучения транзисторных структур технологии КМОП/КНД для каждого технологического решения...
- Пленочный лазерный материал и способ его получения
Использование: в области лазерной техники для создания перестраиваемых лазеров, используемых в линиях волоконно-оптической связи, оптоэлектронике и спектроскопии. Техническим результатом изобретения является создание химически стойкого...
- Способ контроля дефектности пленок кремния на диэлектрических подложках
Использование: изобретение относится к неразрушающим способам диагностики структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может использоваться в технологии микроэлектроники для контроля качества...
- Способ геттерирующей обработки полупроводниковых структур
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для очистки полупроводниковых структур от ростовых и технологических микродефектов. Технический результат: повышение эффективности...
- Способ ионно-лучевого легирования кристаллов
Использование: изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних...
- Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин
Использование: в полупроводниковой технике, в способах очистки пластин от фоновых примесей и протяженных структурных дефектов при производстве пластин и структур для изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Технический...
- Способ обработки структур "кремний на диэлектрике"
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на диэлектрике", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию...
- Способ изготовления структур "кремний на изоляторе"
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для создания структур "кремний на изоляторе", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к действию...