Патенты автора — Смолин В.К.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 40, получены - 1992-2004
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
№ | Компания | Патенты |
---|---|---|
1 | НИИ измерительных систем | 35 |
- Способ изготовления тонкопленочных резисторов
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для производства микроэлектронных устройств и дискретных элементов. Технический результат: повышение выхода годных резисторов по параметрам точности за счет уменьшения влияния...
- Способ контроля дефектности пленок кремния на диэлектрических подложках
Использование: изобретение относится к неразрушающим способам диагностики структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может использоваться в технологии микроэлектроники для контроля качества...
- Способ геттерирующей обработки полупроводниковых структур
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для очистки полупроводниковых структур от ростовых и технологических микродефектов. Технический результат: повышение эффективности...
- Способ ионно-лучевого легирования кристаллов
Использование: изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних...
- Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин
Использование: в полупроводниковой технике, в способах очистки пластин от фоновых примесей и протяженных структурных дефектов при производстве пластин и структур для изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Технический...
- Способ обработки структур "кремний на диэлектрике"
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на диэлектрике", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию...
- Способ изготовления структур "кремний на изоляторе"
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для создания структур "кремний на изоляторе", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к действию...
- Способ контроля дефектности пленок кремния на диэлектрических подложках
Изобретение может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля дефектности приборных слоев интегральных схем или дискретных приборов, изготавливаемых на структурах типа "кремний на сапфире". Сущность изобретения: в способе контроля...
- Способ обработки структур "кремний на сапфире"
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих...
- Способ формирования фоторезистивной маски
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в литографических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и печатных плат. Сущность изобретения: в способе формирования фоторезистивной маски,...