Патенты автора — Стрельченко С.С.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 2, получены - 2012-2013
- C30 – Выращивание кристаллов
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4,...
- Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкостной эпитаксии
Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений A3B5 методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой...