Патенты автора — Тузовский К.А.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 6, получены - 1993-2007
- C30 – Выращивание кристаллов
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ дозагрузки шихты в процессе выращивания монокристаллов кремния по методу чохральского
Изобретение относится к области технологии получения монокристаллического кремния методом выращивания из расплава. Способ дозагрузки шихты при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского включает подачу шихты на поверхность расплава в...
- Способ газофазного наращивания эпитаксиальных слоев кремния
Использование: в кремниевой технологии для получения структур полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе газофазного наращивания эпитаксиальных слоев кремния в каждом ряду подложек создают температурный градиент, при котором верхняя...
- Микронагреватель
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, более конкретно - к микроприборам, в которых требуется поддержание заданной, повышенной по сравнению со средой температуры. Микронагреватель содержит резистор, токовводы и металлические...
- Полупроводниковая кремниевая структура
Используется в производстве микроэлектронных приборов, повышает технологичность, надежность, быстродействие при предельном снижении габаритов и массы. Сущность: структура состоит из тонкого кристалла кремния, объем которого совпадает с объемом...
- Термоэлектрический преобразователь
Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и предназначено для передачи электрического сигнала посредством тепловой энергии. Устройство обеспечивает высокую точность и стабильность работы при малой инерционности. Сущность...
- Полупроводниковый терморезистор
Изобретение предназначено для прецизионных измерений температуры. Полупроводниковый терморезистор выполнен в виде монокристалического кремниевого резистора с контактами к нему. В в плане резистор имеет форму меандра. Он размещен в канавке,...