Патенты автора — Яблонский Г.П.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 5, получены - 1990-1991
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ изготовления полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком
Использование: при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения. Сущность изобретения: на полупроводниковой пластине их теллурида кадмия с оптическим резонатором, состоящим из двух зеркал, одно из которых...
- Способ изготовления полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком
Использование: технология изготовления мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком используют пластину из селенида цинка, изготавливают...
- Способ изготовления полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком
Использование: технология изготовления мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком используют пластину из арсенида галлия, изготавливают...
- Неразрушающий способ определения параметров кристаллов полупроводников
Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам определения кристаллографической полярности поверхностей полупроводниковых кристаллов cds. Сущность изобретения: каждую поверхность образца освещают светом,...
- Способ определения направления полярной оси в монокристаллах
Использование: в кристаллографии, полупроводниковой технике и других областях, где исследуются материалы с помощью электронных разрядов. Сущность изобретения: на монокристалл -дифосфида кадмия подается электрическое поле с помощью иглового электрода...