Патенты — ВНИИ синтеза минерального сырья
Страна - Россия (RU), количество патентов - 34, получены - 1990-2003 , коллектив авторов - 69 человек.
- B23 – Металлорежущие станки; способы и устройства для обработки металлов, не отнесенные к другим классам
- B28 – Обработка цемента, глины и камня
- B44 – Декоративное искусство
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C30 – Выращивание кристаллов
- F17 – Хранение или распределение газов или жидкостей
- F27 – Нагревательные, обжиговые, плавильные и ретортные печи
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ получения шихты для выращивания монокристаллов с вюрцитной структурой
Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления поликристаллической шихты для выращивания оксидных монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO 2, использующихся для изготовления подложек для эпитаксиального...
- Способ получения шихты для выращивания монокристаллов строннигасита и стронтангасита со структурой галлогерманата кальция
Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления шихты для выращивания нового класса упорядоченных четырехкомпонентных соединений галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция (Ca3Ga2 Ge4О14), используемых в...
- Способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца
Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов. Сущность изобретения: способ включает вытягивание...
- Способ изготовления полупроводникового нелинейного резистора в стеклянном корпусе
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления нелинейных полупроводниковых резисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Способ изготовления нелинейного полупроводникового резистора в...
- Способ выращивания кристаллов синтетического кварца
Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике....
- Способ выращивания кристаллов цинкита
Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов цинкита, которые являются хорошими пьезоэлектриками, обладающими высоким коэффициентом электромеханической связи, и могут быть использованы в...
- Способ выращивания монокристаллов кварца
Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в...
- Способ получения монокристаллов оптического кальцита
Использование: указанные кристаллы благодаря высокому двулучепреломлению широко применяются в качестве материала для поляризаторов света, лучеразводящих элементов, быстродействующих лазерных затворов и в других оптических устройствах. Сущность...
- Способ получения шихты для выращивания монокристаллов галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция
Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления шихты для выращивания нового класса упорядоченных четырехкомпонентных соединений галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция (Ca3Ga2Ge4O14). Сущность...
- Гидротермальный способ выращивания крупноразмерных кристаллов ортофосфатов алюминия или галлия
Изобретение относится к технологии выращивания металлортофосфатов, в частности AlPO4 и GaPO4, которые могут быть использованы в пьезотехнике, а именно в резонаторах и фильтрах различного назначения. Изобретение позволяет получать крупноразмерные...