Патенты — Государственный НИИ физических проблем им.Ф.В.Лукина
Страна - Россия (RU), количество патентов - 35, получены - 1989-2000 , коллектив авторов - 94 человека.
- A61 – Медицина и ветеринария; гигиена
- B64 – Воздухоплавание; авиация; космонавтика
- C08 – Органические высокомолекулярные соединения; их получение или химическая обработка; композиции на основе этих соединений
- C25 – Электролитические способы; электрофорез; устройства для них
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G11 – Накопление информации
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Полевой транзистор шоттки
Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов Шоттки. Сущность: полевой транзистор Шоттки, у которого исток, сток и электрод затвора выполнены на -легированной структуре, включающей...
- Структура на арсениде галлия
Применение: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении ИС на арсениде галлия. Сущность: структура включает субмикронный буферный слой, расположенный между подложкой и субмикронным слоем арсенида галлия n - типа...
- Накопитель для постоянного запоминающего устройства
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к постоянным запоминающим устройствам, в накопителе которых в качестве логических ячеек используют ячейки упорядоченных поверхностных структур. Целью изобретения является повышение надежности...
- Способ изготовления мдп-элемента памяти
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления электрически непрограммируемых МДП-элементов памяти с большим числом циклов переключения. Целью изобретения является увеличение числа...
- Регистр сдвига
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании быстродействующих и сверхмалых регистров. Техническим результатом является повышение степени интеграции и быстродействия. Регистр выполнен на полупроводниковой подложке 1,...