Патенты — ЗАО "Полупроводниковые приборы"
Страна - Россия (RU), количество патентов - 8, получены - 1996-2006 , коллектив авторов - 14 человек.
- A61 – Медицина и ветеринария; гигиена
- C30 – Выращивание кристаллов
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
| № | Автор | Патенты |
|---|---|---|
| 1 | Тер-Мартиросян А.Л. | 8 |
| 2 | Чалый В.П. | 6 |
| 3 | Демидов Д.М. | 5 |
| 4 | Погорельский Ю.В. | 3 |
| 5 | Карпов С.Ю. | 3 |
| 6 | Соколов И.А. | 3 |
| 7 | Мымрин Владимир Федорович | 2 |
| 8 | Гельфонд М.Л. | 2 |
| 9 | Баллюзек Ф.В. | 1 |
| 10 | Шкурко А.П. | 1 |
- Инжекционный полупроводниковый лазер
Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Инжекционный полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную активную область с...
- Полупроводниковый инжекционный лазер
Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Согласно изобретению полупроводниковый инжекционный лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную...
- Установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках
Использование: оборудование для производства элементов полупроводниковой техники. Сущность изобретения: установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках включает вакуумную камеру, в которой размещены...
- Эпитаксиальная полупроводниковая структура нитридов элементов группы а3
Использование: полупроводниковые приборы: светодиоды, лазерные диоды, биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в эпитаксиальной полупроводниковой структуре нитридов элементов группы А3 на кристаллической подложке между р-слоем и внешним...
- Способ лечения новообразований
Изобретение относится к медицине и может быть использовано для лечения новообразований, в том числе злокачественных. Воздействуют лазерным излучением. Первоначально определяют значение плотности мощности излучения, при котором появляется коагуляция...
- Способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы a3
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения. Сущность изобретения: способ получения эпитаксиальных структур нитридов...
- Способ лечения новообразований
Изобретение относится к медицине и предназначено для лечения новообразований, в том числе злокачественных. Осуществляют первичное воздействие на новообразования оптическим излучением в дозе 50 - 100 ДЖ/см2 с плотностью мощности излучения 0,1 - 10...
- Инжекционный полупроводниковый лазер
Изобретение относится к области мощных (от 500 мВт до 5 Вт) инжекционных полупроводниковых лазеров, предназначенных для использования в различных областях науки и техники, например медицине, автоматике и робототехнике, связи, в том числе космической,...