Патенты — ЗАО (ЗАО) "ИНКРОМ"
Страна - Россия (RU), количество патентов - 7, получены - 2002-2010 , коллектив авторов - 17 человек.
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C30 – Выращивание кристаллов
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
№ | Автор | Патенты |
---|---|---|
1 | Миронов И.А. | 7 |
2 | Демиденко А.А. | 7 |
3 | Гарибин Е.А. | 7 |
4 | Смирнов Андрей Николаевич | 3 |
5 | Гусев Павел Евгеньевич | 3 |
6 | Соловьев Сергей Николаевич | 3 |
7 | Федоров Павел Павлович | 2 |
8 | Осико Вячеслав Васильевич | 2 |
9 | Голикова Евгения Викторовна | 1 |
10 | Дорошенко Максим Евгеньевич | 1 |
- Поликристаллический лазерный материал
Поликристаллический лазерный материал представляет собой микроструктурированное вещество с размером зерен от 3 мкм и состоит из фторидов кальция и иттербия. При этом материал представляет собой твердый раствор фторида кальция и фторида иттербия....
- Способ получения фторидной нанокерамики
Изобретение относится к технологии получения оптических поликристаллических материалов, а именно фторидной керамики, имеющей наноразмерную структуру и усовершенствованные оптические, лазерные и генерационные характеристики. Способ включает...
- Способ получения алюмооксидной нанокерамики
Изобретение относится к области производства оптических материалов, прозрачных в инфракрасной (ИК) области спектра с высоким коэффициентом пропускания и повышенной механической прочностью. Способ включает приготовление из высокодисперсного порошкового...
- Способ изготовления монокристаллов фторидов кальция и бария
Изобретение относится к области выращивания из расплава монокристаллов оптических фторидов щелочноземельных металлов путем их охлаждения при температурном градиенте с использованием затравочного кристалла. Способ включает кристаллизацию из расплава...
- Способ выращивания тугоплавких монокристаллов
Изобретение относится к технологии выращивания тугоплавких монокристаллов из расплава с использованием затравочного кристалла, в частности кристаллов лейкосапфира, рубина. Кристаллы выращивают методом Киропулоса с оптимальным режимом отжига, который...
- Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов
Изобретение относится к технологии выращивания тугоплавких монокристаллов, в частности сапфира, рубина, из расплава с использованием затравочного кристалла. Устройство включает двухсекционную камеру 1, в верхней секции которой расположен подвижный по...
- Способ получения оптических материалов из халькогенидов цинка и кадмия
Изобретение относится к технологии получения халькогенидов цинка и кадмия, пригодных для изготовления оптических деталей, прозрачных в широкой области спектра. Сущность изобретения способа заключается в изготовлении образцов из расплава,...