Патенты — Институт радиотехники и электроники им.В.А.Котельникова РАН
Страна - Россия (RU), количество патентов - 30, получены - 2007-2011 , коллектив авторов - 81 человек.
- B03 – Разделение твердых материалов с помощью жидкостей, концентрационных столов или отсадочных машин; магнитное или электростатическое отделение твердых материалов от твердых материалов или от текучей среды, разделение с помощью электрического поля, образованного высоким напряжением
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- C30 – Выращивание кристаллов
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G03 – Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
- G06 – Вычисление; счет
- G11 – Накопление информации
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Сверхпроводящий прибор на основе многоэлементной структуры из джозефсоновских переходов
Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента усиления и высокую линейность отклика напряжения на магнитную компоненту электромагнитного сигнала...
- Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия
Изобретение относится к электронной технике, а именно - к материалам для изготовления полупроводниковых приборов с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Сущность изобретения заключается в использовании для выращивания эпитаксиальных...
- Твердотельный датчик магнитного поля
Изобретение относится к области измерительной техники и твердотельной электроники и может быть использовано при создании миниатюрных датчиков магнитного поля для применения в магниточувствительных электронных микросистемах управления приводами,...
- Способ соединения деталей из тугоплавких оксидов
Изобретение относится к области изготовления деталей для оптических, акустоэлектронных и лазерных устройств, где в качестве активных и пассивных материалов используются тугоплавкие оксиды, преимущественно, двух-, трех- и четырехвалентных металлов, как...
- Способ повышения деградационной стойкости сильноточных многоострийных автоэмиссионных катодов
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии многоострийных углеродных структур. Синтез материала...
- Низкотемпературный перестраиваемый источник излучения черного тела
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, и охлаждаемым приемникам ИК-излучения. Низкотемпературный перестраиваемый источник излучения черного...
- Твердотельный источник электромагнитного излучения
Заявляемое устройство относится к спинтронике и фотонике и предназначено для генерации когерентного и некогерентного электромагнитного излучения в диапазоне террагерцовых частот. Твердотельный источник электромагнитного излучения содержит рабочий слой,...
- Модулятор свч на поверхностных магнитостатических волнах
Изобретение направлено на обеспечение управления уровнем режекции СВЧ-сигнала в полосе частот без необходимости обеспечения протекания управляющего постоянного тока по металлической пленке. Технический результат - возможность управления уровнем...
- Система стабилизации частоты перестраиваемого криогенного генератора
Изобретение относится к системам стабилизации частоты (ССЧ) и может быть использовано для стабилизации частоты перестраиваемого криогенного генератора (ПГ) путем фазовой синхронизации к высокостабильному опорному синтезатору частот. Достигаемый...
- Способ изготовления устройств с тонкопленочными сверхпроводниковыми переходами
Изобретение относится к области сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к изготовлению сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов, структур типа сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС), структур...