Патенты — Институт физики полупроводников СО РАН
Страна - Россия (RU), количество патентов - 46, получены - 1989-2008 , коллектив авторов - 76 человек.
- C30 – Выращивание кристаллов
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G06 – Вычисление; счет
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H04 – Техника электрической связи
- Источник атомарного водорода для молекулярно-лучевой эпитаксии
Использование: полупроводниковая техника, в молекулярно-лучевой эпитаксии для предэпитаксиальной подготовки подложек, а также в процессе выращивания эпитаксиальных слоев. Сущность изобретения: источник атомарного водорода содержит две концентрические...
- Испарительный тигель
Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах. Сущность изобретения: в испарительном тигле, содержащем объем для...
- Способ сборки фотоприемных устройств
Использование: технология сборки фотоприемных устройств, выполненных на основе полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: в способе сборки фстоприемных устройств, включающем напыление индиевых столбов на полупроводниковые материалы с...
- Устройство считывания для двумерных приемников изображения
Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации. Сущность изобретения: устройство считывания выполнено на полупроводниковой подложке и содержит матрицу входных устройств,...
- Способ регистрации и измерения потока ик излучения
Использование: в полупроводниковой технике и для регистрации и измерения потока ИК излучения. Сущность изобретения: в способе регистрации и измерения потока ИК-излучения фоторезистором на основе кремния, легированного селеном, включающем приложение к...
- Устройство считывания на приборах с зарядовой связью для двухмерных приемников изображения
Использование: в области интегральной микроэлектроники, в системах обработки оптической информации. Сущность изобретения: устройство считывания на приборах с зарядовой связью для двухмерных приемников изображения выполнено на полупроводниковой подложке...
- Способ изготовления матриц полупроводниковых приборов на подложках cdxhg1xte
Использование: изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может найти применение для создания матриц, например, п-р переходов или других полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления матриц...
- Неразрушающий способ определения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках и устройство для его осуществления
Использование: полупроводниковая техника для неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов. Неразрушающий СВЧ- способ измерения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках предусматривает...
- Способ легирования кремния халькогенами
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов, в частности в процессах легирования кремния халькогенами, и может быть использовано при изготовлении термодатчиков, фотоприемников. Сущность: способ включает в себя ионное...
- Способ изготовления фотоприемного элемента на основе многослойных гетероструктур ga as/al ga as
Использование: в полупроводниковой технике и при изготовлении одиночных и многоэлементных фотоприемных устройств. Сущность изобретения: способ заключается в нанесении на подложку из полуизолирующего арсенида галлия последовательности слоев. Между...