Патенты — Институт физики полупроводников СО РАН
Страна - Россия (RU), количество патентов - 46, получены - 1989-2008 , коллектив авторов - 76 человек.
- C30 – Выращивание кристаллов
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G06 – Вычисление; счет
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H04 – Техника электрической связи
- Неразрушающий способ контроля качества многослойных полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках
Использование: полупроводниковая техника, для контроля полупроводниковых структур. Сущность изобретения: способ контроля качества многослойных полупроводниковых структур включает освещение структуры импульсом света с энергией кванта большей, чем ширина...
- Вычислитель рангов
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в специализированных вычислительных машинах и устройствах обработки данных. Вычислитель рангов содержит регистр 1 сдвига, группу компараторов 2-5, группу многоразрядных элементов...
- Сенсорная структура
Использование: в системах контроля состояния жидких и газообразных сред. Сущность изобретения: сенсорная структура содержит полупроводниковую проводящую подложку, изолирующий слой с расположенным на нем металлическим электродом, газочувствительный слой...
- Многоэлементный ик-приемник на горячих носителях с длинноволновой границей 0,2 эв
Использование: производство полупроводниковых фотоприемных модулей, матриц. Сущность изобретения: приемник ИК-излучения на диапазон длин волн 1,5-6 мкм имеет слой монокристаллического высокоомного кремния, на котором выполнены в виде меза-структуры...
- Источник молекулярного потока
Изобретение относится к оборудованию для получения материалов и многослойных структур полупроводниковых соединений. Источник молекулярного потока рабочего вещества содержит испаритель вещества с нагревателем, формирователь потока с нагревателем,...
- Устройство считывания на приборах с зарядовой связью для двумерных приемников изображения
Использование: в интегральной микроэлектронике, в системах обработки информации. Сущность изобретения: устройство считывания на приборах с зарядовой связью для двухмерных приемников изображения выполнено на полупроводниковой подложке и содержит матрицу...
- Способ изготовления n - p-переходов в монокристаллах cdx hg1-xte
Использование: в технологии изготовления фотоприемников инфракрасного излучения. Сущность изобретения: на исходных кристаллах Cdx Hg1-x Те с = 0,190-0,250 p-типа проводимости размещают индиевую фольгу и помещают полученный сендвич в замкнутый объем,...
- Способ получения слоев диоксида кремния
Использование: способ может быть использован в технологии получения полупроводниковых приборов на основе соединений AIIBVI и AIIIBV и при изготовлении кремниевых ИС. Сущность изобретения: способ включает осаждение слоев из гомогенной газовой смеси...
- Способ получения структур с захороненным металлическим слоем
Использование: в полупроводниковой микроэлектронике, а именно в технологии создания транзисторов со статической индукцией, с проницаемой или металлической базой, либо для получения встроенных слоев с металлической проводимостью в интегральных схемах....
- Способ создания на образцах cdxhg1-xte p-типа структур с глубококомпенсированным слоем
Использование: полупроводниковая техника, в частности технология изготовления фотоприборов. Сущность: в нагретый до температуры 70 170°С образец CdxHg1-xTe P-типа проводят имплантацию ионов с энергией 10 150 кэВ и дозой 1012- 1014 см-2. При...