Патенты — Институт физики полупроводников СО Российской академии наук
Страна - Россия (RU), количество патентов - 45, получены - 2004-2008 , коллектив авторов - 72 человека.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- B81 – Микроструктурные технологии
- C25 – Электролитические способы; электрофорез; устройства для них
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G11 – Накопление информации
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Гибридная структура для детектора инфракрасного излучения
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных интегральных детекторов инфракрасного излучения, стойких к многократным циклам охлаждения-нагревания. Сущность изобретения:...
- Эллипсометр
Изобретение относится к технике оптико-физических измерений, а именно к эллипсометрии, и может быть использовано при неразрушающем контроле оптических параметров поверхности и тонких слоев пленок. Эллипсометр содержит поляризатор, подставку для...
- Способ получения электронного пучка и устройство для его осуществления (варианты)
Изобретение относится к электронике и может быть использовано в физической электронике, квантовой электронике, плазмохимии, диагностических измерениях. Способ получения электронного пучка заключается в том, что путем подачи напряжения питания между...
- Газовый лазер с электронным пучком
Газовый лазер с электронным пучком содержит высоковольтный источник питания, резонатор, размещенную в резонаторе лазерную кювету, заполненную рабочим газом, который является активной средой. В составе лазерной кюветы выполнен источник электронов в виде...
- Солнечный элемент (варианты)
Согласно изобретению между контактными слоями солнечного элемента расположена диодная структура. В диодной структуре последовательно сформированы базовый поглощающий слой полупроводника заданного типа проводимости, многослойная структура из слоев...
- Многоконтактное гибридное соединение
Изобретение предназначено для группового механического и/или электрического соединения функциональных устройств, размещенных на разных подложках, работающих при низких температурах. Сущность изобретения: в многоконтактном гибридном соединении,...
- Фоточувствительная структура
Фоточувствительная структура может быть использована при разработке фотоприемников ИК излучения. Фоточувствительная структура содержит подложку с выполненной на ней варизонной структурой с рабочей областью, в которой расположен рабочий поглощающий...
- Геттерный элемент
Изобретение относится к области вакуумной технологии для поддержания высокого вакуума в различных приборах, в особенности к области вакуумирования полупроводниковых приборов, и может быть использован при разработке конструкций инфракрасных...
- Способ изготовления фоточувствительной структуры
Способ изготовления фоточувствительной структуры заключается в том, что подложку с рабочей областью заданного типа проводимости подвергают анодированию в электролите с формированием слоя анодированного материала рабочей области на ее поверхности, далее...
- Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления структуры кремний-на-изоляторе в составе подложки Si формируют аморфный слой диэлектрика...