Патенты — КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС, Н.В. ,ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Страна - Нидерланды (NL), количество патентов - 16, получены - 2007-2009 , коллектив авторов - 39 человек.
- C09 – Красители; краски; полировальные составы; природные смолы; клеящие вещества; вещества или составы, не отнесенные к другим рубрикам; использование материалов, не отнесенных к другим рубрикам
- F21 – Освещение
- G02 – Оптика
- G03 – Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
| № | Автор | Патенты |
|---|---|---|
| 1 | Бирхэйзен Серж Й. | 4 |
| 2 | Харберс Герард | 3 |
| 3 | Креймс Майкл Р. | 2 |
| 4 | Чжан Ли | 2 |
| 5 | Мюллер Герд О. | 1 |
| 6 | Уолл Франклин | 1 |
| 7 | Стассар Эмануэл Н.х.й. | 1 |
| 8 | Векамп Йоханнес В. | 1 |
| 9 | Шник Вольфганг | 1 |
| 10 | Стеранка Франк М. | 1 |
- Полупроводниковые светоизлучающие устройства, выращенные на композитных подложках
Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание множества III-нитридных полупроводниковых структур на подложке, причем каждая полупроводниковая структура включает в себя светоизлучающий слой,...
- Полупроводниковое светоизлучающее устройство со структурами вывода света
Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне...
- Контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства
Полупроводниковые светоизлучающие устройства широко применяются в качестве источников света во многих приложениях, которые требуют низкого потребления энергии, малого размера и высокой надежности. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего...
- Светоизлучающий диод для установки на теплоотвод
Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является улучшение теплоотдачи светодиодов на корпусную деталь. Светодиодное (СИД) устройство предназначено для установки на теплоотвод, имеющий переднюю поверхность с отверстием в...
- Светоизлучающий модуль и способ тепловой защиты
Изобретение относится к светоизлучающему модулю. Сущность изобретения: светоизлучающий модуль содержит полупроводниковое светоизлучающее устройство и термореле, которое оборудовано для защиты светоизлучающего устройства от перегрева. При повышенной...
- Прочная структура сид (светоизлучающего диода) для отделения подложки
Изобретение относится к светоизлучающим диодам, смонтированным методом перевернутого кристалла. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечивают перевернутый кристалл светоизлучающего диода...
- Сид с частицами в герметике для повышенного извлечения света и нежелтого цвета в выключенном состоянии
Изобретение относится к светоизлучающим диодам и, в частности, к технологии улучшения извлечения света. Технический результат заключается в повышении яркости за счет устранения желто-зеленого цвета. Устройство включает в себя полупроводниковый...
- Тонкая подсветка с использованием низкопрофильных светоизлучающих диодов бокового излучения
Изобретение относится к подсветке с использованием светоизлучающих диодов бокового излучения. Подсветка содержит твердотельный прозрачный световод (42) со множеством отверстий в нижней поверхности световода, при этом каждое отверстие содержит...
- Компактная оптическая система и линзы для формирования равномерного коллимированного света
Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является формирование, по существу, равномерно освещенной выходной плоскости с хорошо коллимированным светом в прямом направлении. Оптическая система включает в себя цилиндрическую...
- Источник света, включающий в себя отражающий, преобразующий длину волны слой
Светоизлучающее устройство содержит источник света, выполненный с возможностью излучения первого света; преобразующий длину волны слой, при этом преобразующий длину волны слой расположен на пути первого света, находится на расстоянии от источника света...