Патенты — Московский институт электронной техники
Страна - Россия (RU), количество патентов - 25, получены - 1990-1996 , коллектив авторов - 72 человека.
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- G01 – Измерение
- G11 – Накопление информации
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Устройство для управления туннельным током и зазором (варианты)
Устройство для управления туннельным током и зазором содержит источник напряжения, пьезоэлемент, жестко закрепленный на нем зонд и клемму для подключения образца, формирующего совместно с зондом туннельный зазор, отличающееся тем, что устройство...
- Устройство для исследования поверхности проводящих образцов
Использование: изобретение относится к технике измерений и может быть использовано в исследовательских и технологических установках для контроля рельефа поверхности образцов и локального воздействия на них. Сущность изобретения: устройство содержит...
- Термометр сопротивления
Сущность изобретения: на диэлектрическую подложку последовательно нанесены адгезионный слой толщиной из нитрида титана и термочувствительный тонкопленочный элемент из металла с высоким ТКС. Термометр сопротивления обладает высокой термической...
- Способ оценки годности проводящей пленки
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля качества проводящих пленок. Сущность изобретения: качество пленки определяют на основании величины измеренного фликкер-шума, тока проходящего через пленку и измеренного...
- Способ определения неоднородности пленки
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для определения неоднородности пленок. Сущность изобретения: при определении неоднородности пленки используют туннельный микроскоп, при этом к переходу игла-пленка-подложка...
- Полупроводниковый терморезистор
Изобретение предназначено для прецизионных измерений температуры. Полупроводниковый терморезистор выполнен в виде монокристалического кремниевого резистора с контактами к нему. В в плане резистор имеет форму меандра. Он размещен в канавке,...
- Реактор для обработки подложек в плазме свч-тлеющего разряда
Использование: микроэлектроника, планарная технология интегральных схем. Сущность изобретения: реактор для обработки подложек в плазме СВЧ тлеющего разряда представляет собой вакуумную камеру, в которой помещены полый резонатор, рабочий столик, узлы...
- Способ получения тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния
Использование: технология полупроводниковых приборов на основе тонких пленок аморфного кремния. Сущность изобретения: способ получения тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния включает осаждение пленки на нагретую подложку путем разложения...
- Стеклосвязующее для паст толстопленочных резисторов
Использование: изобретение относится к стекловидным материалам, предназначенным для использования в качестве стеклосвязующего в токопроводящих пастах толстопленочной технологии, преимущественно для толстопленочных резисторов. Стеклосвязующее относится...
- Способ изготовления контактов интегральных микросхем на кремнии
Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления термостабильных слабопроникающих контактов кремниевых интегральных микросхем. Сущность изобретения заключается в том, что на кремниевую подложку,...