Патенты — Научно-исследовательский физико-химический институт им.Л.Я.Карпова
Страна - Россия (RU), количество патентов - 77, получены - 1990-2012 , коллектив авторов - 247 человек.
- A61 – Медицина и ветеринария; гигиена
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- C01 – Неорганическая химия
- C02 – Обработка воды, промышленных и бытовых сточных вод или отстоя сточных вод
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C05 – Удобрения; их производство
- C07 – Органическая химия
- C08 – Органические высокомолекулярные соединения; их получение или химическая обработка; композиции на основе этих соединений
- C22 – Металлургия; сплавы черных или цветных металлов; обработка сплавов или цветных металлов
- C25 – Электролитические способы; электрофорез; устройства для них
- C30 – Выращивание кристаллов
- G01 – Измерение
- G03 – Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
- G21 – Ядерная физика, ядерная техника
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Эпоксидная композиция
Изобретение относится к области технологии получения быстроотверждающихся эпоксидных композиций горячего формования, используемых в качестве связующего в производстве армированных пластиков. Эпоксидная композиция включает, по крайней мере, одну...
- Способ контроля коррозионной стойкости углеродистых и низколегированных сталей и изделий из них
Изобретение относится к области оценки коррозионной стойкости сталей и изделий из них, предназначенных для эксплуатации в агрессивных средах. Способ состоит в том, что от изделий отбирают образцы. Затем изготавливают из них шлифы с полированной...
- Способ получения алмаз-углеродных наночастиц
Изобретение относится к области материаловедения, а именно к получению композиционных материалов, более конкретно к получению углеродных наночастиц, состоящих из алмазного ядра, покрытого оболочкой неалмазного материала. Способ заключается в...
- Способы изготовления игл для сканирующей туннельной микроскопии
Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для использования в зондовых сканирующих устройствах. Способ изготовления игл состоит в подборке режимов электрохимического травления в растворе электролита проволоки-заготовки из...
- Фильтрующий материал и способ его получения
Изобретение относится к области получения волокнистых фильтрующих материалов. Предложены материалы из полистирола и полиметилметакрилата с диаметром волокна 1,5-3 мкм. Материалы получены путем электростатического формования волокон из раствора...
- Генератор для получения радиопрепарата технеция-99m и способ его получения
Изобретение относится к способу изготовления радиоизотопных генераторов и предназначено для ядерной медицины. Генератор технеция-99m для получения стерильного радиопрепарата технеция-99m содержит хроматографическую колонку с сорбентом, упакованным...
- Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом
Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV. Монокристаллы антимонида индия, легированного оловом, получают путем облучения полным спектром реакторных нейтронов с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Нагрев ведут со...
- Способ получения монокристаллических пластин арсенида индия
Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV. Способ осуществляют путем облучения монокристаллических пластин арсенида индия быстрыми нейтронами с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Облучению подвергают...
- Способ обработки монокристаллических эпитаксиальных слоев нитридов iii-группы
Изобретение относится к полупроводниковой технологии для получения эпитаксиальных слоев нитридов III-группы. Сущность изобретения: в способе обработки монокристаллических эпитаксиальных слоев нитридов III-группы путем облучения быстрыми нейтронами с...
- Способ легирования эпитаксиальных слоев нитрида галлия германием
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения легированных германием эпитаксиальных слоев нитрида галлия. Сущность изобретения: в способе легирования эпитаксиальных слоев нитрида галлия германием, включающем введение...