Патенты — НИИ "Пульсар"
Страна - Россия (RU), количество патентов - 12, получены - 1990-1993 , коллектив авторов - 31 человек.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- B23 – Металлорежущие станки; способы и устройства для обработки металлов, не отнесенные к другим классам
- B24 – Шлифование; полирование
- C02 – Обработка воды, промышленных и бытовых сточных вод или отстоя сточных вод
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
| № | Автор | Патенты |
|---|---|---|
| 1 | Евграфова Г.А. | 3 |
| 2 | Добудько В.Д. | 3 |
| 3 | Енишерлова-Вельяшева К.Л. | 3 |
| 4 | Пучков В.В. | 2 |
| 5 | Савушкин Ю.А. | 2 |
| 6 | Саруханов Р.Г. | 2 |
| 7 | Аветисян Г.Х. | 1 |
| 8 | Давыдов А.Х. | 1 |
| 9 | Голомедова С.А. | 1 |
| 10 | Емельянова Л.И. | 1 |
- Способ получения тонких монокристаллических полупроводниковых слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе формирования тонких монокристаллических слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале сначала проводят термокомпрессионное соединение...
- Способ очистки сорбента в фильтрующей колонне и фильтрующая колонна для его осуществления
Использование: в технологии очистки сорбента в фильтрующей колонне. Сущность изобретения: в способе очистки сорбента в фильтрующей колонне, включающем отмывку сорбента водой, воду подают струями, создаваемыми гидродинамическими активаторами, причем в...
- Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно...
- Прибор с зарядовой связью
Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к приборам с зарядовой связью. Сущность изобретения: в приборе с зарядовой связью, включающем кремниевую подложку, подзатворный слой изолятора, поликремниевые электроды фаз с окисленными...
- Устройство для низкотемпературного прямого соединения полупроводниковых пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: устройство для низкотемпературного прямого соединения полупроводниковых пластин включает основание, центрифугу с каруселью для размещения узлов крепления пластин, крышку для...
- Способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу
Сущность изобретения: способ включает размещение золотой фольги между корпусом и кристаллом и пайку. Поверхность фольги предварительно подвергают химическому травлению в растворе соляной кислоты при температуре 18 - 25°С в течение 3 - 5 мин с...
- Способ присоединения выводов к контактным площадкам и устройство для его осуществления
Изобретение относится к микросварке, и может найти применение в радиоэлектронном машиностроении. Сущность изобретения: в способе при зажиме вывод формируют по конфигурации перемычек за счет того, что верхняя рабочая поверхность губок выполнена...
- Способ осуществления ионного обмена
Перед осуществлением процесса ионного обмена ионит обрабатывают водой, подвергнутой воздействию энергетического поля. В качестве энергетического поля используют ультразвуковое поле, или электрическое, или температурное, или гамма-излучение. Процесс...
- Полировальник
Использование: в области алмазного и химико-механического полирования полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: в полировальнике, состоящем из доводочного диска с приводом вращения и закрепленного на его базовой поверхности полировального...
- Способ очистки синтетического органического ионообменного материала
Синтетический органический ионообменный материал очищают обработкой ультразвуком в воде при температуре 35 - 50С. 1 табл.
Публикации
- Патент на модель промышленный образец
Любой результат деятельности человека должен охраняться законом и если в материальном плане все куда проще, то интеллектуальную собственность необходимо сначала зарегистрировать, чтобы потом суметь отстоять свои права на нее. Защитным актом... - Исключительное право на патент
Исключительное право любого образца принадлежит его держателю. Данный документ предоставляет своему владельцу исключительное право пользования моделью, образцом или изобретением на которое оформлен патент. Любым посторонним лицам запрещено без... - Самостоятельная регистрация товарного знака
Именно благодаря различным товарным знакам потребители различают продукцию разных фирм-изготовителей и выбирают уже полюбившуюся или более разрекламированную.
С чего начинается
- Авторские права в интернете
В продолжение предыдущей статьи, которая затрагивала авторское право youtube, мы продолжаем рассматривать основные методы защиты интеллектуальной собственности. Теперь...
- Права на патент
Автор любого изобретения может обезопасить себя от кражи и использования без его разрешения путем оформления соответствующего документа, который называется промышленный патент. Эта процедура регулируется Гражданским...