Патенты — НИИ точного машиностроения
Страна - Россия (RU), количество патентов - 7, получены - 1990-1993 , коллектив авторов - 18 человек.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- F16 – Узлы и детали машин; общие способы и устройства, обеспечивающие нормальную эксплуатацию машин и установок; теплоизоляция вообще
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
| № | Автор | Патенты |
|---|---|---|
| 1 | Буравцев А.Т. | 4 |
| 2 | Сигалов Э.Б. | 2 |
| 3 | Верещака А.П. | 2 |
| 4 | Волков Н.С. | 2 |
| 5 | Фрыгин Г.Л. | 2 |
| 6 | Коротков М.Л. | 2 |
| 7 | Баранов В.Н. | 2 |
| 8 | Овечкин А.А. | 2 |
| 9 | Марков Е.В. | 2 |
| 10 | Краснов В.Г. | 1 |
- Испаритель
Использование: в микроэлектронике, устройствах для нанесения покрытий. Сущность изобретения: испаритель, содержащий тигель, нагреватель и формирователь потока пара, снабжен рыхлителем, установленным внутри плоского со щелевидной полостью тигля с...
- Испаритель
Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий в вакууме. Жидкий реагент, в частности стирол, заливают в камеру 1 через входной патрубок 5, а вторую камеру 2 вакуумируют до 10-3 - 10-5 мм рт.ст. Из камеры 1 через трубопровод 4 и дозирующее...
- Устройство осаждения слоев из газовой фазы
Использование: для термического отжига пластин в различных газовых средах, осаждение диэлектрических слоев и эпитаксиальных слоев кремния в технологии производства полупроводников и микроэлектронике. Сущность изобретения: устройство содержит кварцевый...
- Устройство осаждения слоев из газовой фазы
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и ИС. Сущность изобретения: устройство содержит реакционный блок, включающий кварцевый реактор с излучателем, корпус с...
- Устройство для управления технологическим процессом удаления или нанесения прозрачных и полупрозрачных покрытий
Изобретение предназначено для использования в составе установок для производства микросхем и нанесения других покрытий. Сущность: устройство содержит систему управления с соответствующими элементами и вычислительную систему, позволяющие определить...
- Скруббер
Использование: в устройствах для очистки газов от примесей и в полупроводниковых производствах для очистки технологических газов от водорода, паров хлоридов металлов, хлористого водорода и т.п. примесей. Сущность изобретения: скруббер, содержащий...
- Клапанный узел
Использование: в трубоарматуре для физико-термического оборудования. Сущность изобретения: в полости корпуса установлен на диафрагме с возможностью перекрытия седла запорный орган со стержнем. На одном конце стержня соосно с диафрагмой установлена...