Патенты — НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО., ЛТД.
Страна - Япония (JP), количество патентов - 7, получены - 1997-1998 , коллектив авторов - 5 человек.
- C01 – Неорганическая химия
- C30 – Выращивание кристаллов
- F16 – Узлы и детали машин; общие способы и устройства, обеспечивающие нормальную эксплуатацию машин и установок; теплоизоляция вообще
| № | Автор | Патенты |
|---|---|---|
| 1 | Танино Кития | 3 |
| 2 | Хирамото Масанобу | 2 |
| 3 | Танино Китийя | 2 |
| 4 | Фусе Тосихико | 1 |
| 5 | Танино Кисия | 1 |
- Монокристаллический sic и способ его получения
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения монокристаллического SiC, который может быть использован в качестве пластины-подложки для светодиода, рентгеновского оптического прибора высокотемпературного электронного...
- Монокристаллический sic и способ его получения
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для производства светодиодов, оптических элементов и т.д. Поверхность монокристаллической -SiC подложки 1 обрабатывается так, чтобы иметь шероховатость поверхности, равную или меньше,...
- Монокристаллический карбид кремния sic и способ его получения (варианты)
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для светоизлучающих диодов, рентгеновских оптических элементов, высокотемпературных полупроводников и т.д. Сущность изобретения: комплекс (М), сформированный путем выращивания пластины...
- Монокристалл sic и способы его получения
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности при производстве диодов, усилителей и оптических элементов.Комплекс (M), который выполнен посредством выращивания поликристаллической -SiC пластины, имеющей толщину около 10 мкм или...
- Монокристалл sic и способ его получения
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Выращен комплекс (M), который выполнен укладыванием в стопку поликристаллической -SiC пластины на поверхности монокристаллического -SiC базового материала с плотным контактом через...
- Монокристаллический карбид кремния и способ его получения
Изобретение предназначено для полупроводниковой техники и может быть использовано при получении полупроводниковых подложек для светоизлучающих диодов. На подложку - монокристаллический -SiC- наносят методом термохимического осаждения из паровой фазы...
- Бесконтактное газовое уплотнение с использованием статического давления
Уплотнение может быть использовано в различных типах ротационного оборудования, например в турбинах, вентиляторах, компрессорах, мешалках и т. п., для работы с различными видами газов, в том числе с токсичным газом. Корпус уплотнения выполняют с...