Патенты — Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
Страна - Россия (RU), количество патентов - 137, получены - 1986-2011 , коллектив авторов - 237 человек.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- B22 – Литейное производство; порошковая металлургия
- B32 – Слоистые изделия или материалы
- B82 – Нанотехнология
- C01 – Неорганическая химия
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C09 – Красители; краски; полировальные составы; природные смолы; клеящие вещества; вещества или составы, не отнесенные к другим рубрикам; использование материалов, не отнесенных к другим рубрикам
- C25 – Электролитические способы; электрофорез; устройства для них
- C30 – Выращивание кристаллов
- F01 – Машины или двигатели вообще
- F16 – Узлы и детали машин; общие способы и устройства, обеспечивающие нормальную эксплуатацию машин и установок; теплоизоляция вообще
- F24 – Нагрев; вентиляция; печи и плиты
- F41 – Оружие
- F42 – Боеприпасы; взрывные работы
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G06 – Вычисление; счет
- G21 – Ядерная физика, ядерная техника
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- H04 – Техника электрической связи
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты)
Полупроводниковый источник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) с двумя оптически связанными и геометрически разнесенными дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10) в виде гетероструктур. На поверхность...
- Инжекционный лазер
Лазер на основе гетероструктуры содержит волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя,...
- Инжекционный лазер
Лазер на основе гетероструктуры включает волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами р- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя,...
- Многопереходный преобразователь
Изобретение относится к устройствам преобразования световой энергии в электрическую и может быть использовано как в концентраторных фотоэлектрических модульных установках, так и в космических солнечных батареях. Сущность изобретения: многопереходный...
- Фотовольтаический концентраторный модуль
Изобретение относится к области солнечной энергетики. Фотовольтаический концентраторный модуль содержит первичный оптический концентратор в виде линзы Френеля и вторичный оптический концентратор с суммарным фокусным расстоянием F. Оптическая ось...
- Способ получения водной суспензии детонационных наноалмазов
Изобретение относится к области физико-химических процессов обработки неорганических материалов. Порошок детонационных наноалмазов обрабатывают галогеноводородной кислотой при температуре 50-130°С в течение 1-10 часов при одновременном ультразвуковом...
- Способ изготовления чипов концентраторных солнечных фотоэлементов
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ получения чипов...
- Солнечный фотоэлектрический субмодуль
Солнечный фотоэлектрический субмодуль содержит концентратор солнечного излучения и фотоэлемент с контактными полосками на фронтальной фоточувствительной поверхности фотоэлемента. Контактные полоски имеют в поперечном сечении вид трапеции с большим...
- Фотокатод
Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники. Фотокатод включает диэлектрическую или полупроводниковую подложку, на которую нанесен слой эмитирующего фотоэлектроны полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны...
- Способ изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов
Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных...