Патенты — Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
Страна - Россия (RU), количество патентов - 137, получены - 1986-2011 , коллектив авторов - 237 человек.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- B22 – Литейное производство; порошковая металлургия
- B32 – Слоистые изделия или материалы
- B82 – Нанотехнология
- C01 – Неорганическая химия
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C09 – Красители; краски; полировальные составы; природные смолы; клеящие вещества; вещества или составы, не отнесенные к другим рубрикам; использование материалов, не отнесенных к другим рубрикам
- C25 – Электролитические способы; электрофорез; устройства для них
- C30 – Выращивание кристаллов
- F01 – Машины или двигатели вообще
- F16 – Узлы и детали машин; общие способы и устройства, обеспечивающие нормальную эксплуатацию машин и установок; теплоизоляция вообще
- F24 – Нагрев; вентиляция; печи и плиты
- F41 – Оружие
- F42 – Боеприпасы; взрывные работы
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G06 – Вычисление; счет
- G21 – Ядерная физика, ядерная техника
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- H04 – Техника электрической связи
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Бистабильный абсорбционный оптоэлектронный прибор
Использование: в оптоэлектронике, в системах оптической обработки информации для реализации различных логических операций. Сущность изобретения: в бистабильном абсорционном оптоэлектронном приборе на основе полупроводниковой p-i-n-гетероструктуры с...
- Узел коммутирования вязкостных газовых потоков, предназначенных для анализа
Использование: в устройствах коммутирования газовых потоков и для анализа газов, поступающих по нескольким линиям подачи газа. Сущность изобретения: устройство представляет собой герметичный корпус, с входными патрубкам, выходным патрубком и...
- Состав для электрохимического нанесения никелевых покрытий
Использование: изобретение относится к электрохимии, в частности к получению никелевых покрытий с низким переходным сопротивлением, например, для омических контактов к полупроводниковым материалам. Сущность: существующие составы не позволяли получать...
- Ионизационный детектор ультрафиолетового излучения
Использование: изобретение относится к регистрации оптической информации, в частности к детекторам УФ-излечения, и может быть использовано в различных областях науки и техники для метрологии непрерывного и импульсного УФ-излучения широкой области...
- Способ изготовления пленки из высокотемпературных сверхпроводников
Использование: для изготовления пленки из высокотемпературных сверхпроводников. Сущность изобретения: способ включает введение порошка ВТСП-керамики на основе окислов металлов в жидкую среду, формование заготовки пленки с помощью формообразователя,...
- Полупроводниковый генератор наносекундных импульсов
Изобретение относится к сильноточной полупроводниковой электронике и может быть использовано в лазерной и ускорительной технике. Цель изобретения является уменьшение потерь энергии в генераторе наносекундных импульсов на базе дрейфового диода с резким...
- Способ определения элементарного состава твердого тела
Использование: относится к аналитическому приборостроению, использующему масс-спектрометрию вторичных частиц, распыляемых при ионном облучении поверхности, для элементного анализа материалов. Благодаря высокой чувствительности масс-спектрометрия...
- Неинжекционный светоизлучающий диод
Использование: изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к светоизлучающим приборам, преобразующим электрическую энергию в электромагнитное излучение. Сущность изобретения: в неинжекционный светоизлучающий диод на основе гетероперехода...
- Двусвязный микроволновод
Использование: в микроэлектронике и вычислительной технике в качестве линий связи и межсоединений. Сущность изобретения: устройство содержит два проводника из сверхпроводящего материала. Площадь поперечного сечения одного проводника меньше квадрата...
- Термолюминесцентный материал
Сущность изобретения: термолюминесцентный материал на основе термолюминофора с шириной запрещенной зоны от 7 до 11,5 эВ содержит дополнительно полупроводниковый элемент или полупроводниковое соединение с шириной запрещенной зоны от 0,18 до 2,7 эВ в...