Патенты — Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
Страна - Россия (RU), количество патентов - 137, получены - 1986-2011 , коллектив авторов - 237 человек.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- B22 – Литейное производство; порошковая металлургия
- B32 – Слоистые изделия или материалы
- B82 – Нанотехнология
- C01 – Неорганическая химия
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C09 – Красители; краски; полировальные составы; природные смолы; клеящие вещества; вещества или составы, не отнесенные к другим рубрикам; использование материалов, не отнесенных к другим рубрикам
- C25 – Электролитические способы; электрофорез; устройства для них
- C30 – Выращивание кристаллов
- F01 – Машины или двигатели вообще
- F16 – Узлы и детали машин; общие способы и устройства, обеспечивающие нормальную эксплуатацию машин и установок; теплоизоляция вообще
- F24 – Нагрев; вентиляция; печи и плиты
- F41 – Оружие
- F42 – Боеприпасы; взрывные работы
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G06 – Вычисление; счет
- G21 – Ядерная физика, ядерная техника
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- H04 – Техника электрической связи
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Способ элементного анализа поверхностного монослоя материала
Использование: в области анализа материалов с помощью облучения образца пучком частиц. Сущность изобретения: образец облучают частицами с выбранным значением атомного номера, энергией соударения E и регистрируют частицы, рассеянные под определенным...
- Полупроводниковый генератор
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в технике связи, локации, медицинской технике в качестве генератора, усилителя, фотоприемника. Сущность изобретения: полупроводниковая структура генератора содержит два...
- Структура полупроводникового инжекционно-пролетного прибора
Применение: изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в технике связи, включая СВЧ-диапазон, а также в радиотехнических устройствах различного назначения. Сущность изобретения: прибор имеет значительно более...
- Устройство для получения профилированных поликристаллических изделий из расплава
Изобретение относится к выращиванию кристаллов вытягиванием из расплава на затравку и может быть использовано в установках для получения профилированных поликристаллических и монокристаллических изделий из различных кристаллизуемых материалов...
- Способ изготовления силикатного волокна из природного хризотиласбеста
Изобретение относится к технологии изготовления силикатного волокна из природного хризотиласбеста и может быть использовано в качестве сырья для производства тканых и нетканых материалов для фильтров и тепло- и электроизоляции. С целью обеспечения...
- Способ взрывания
Использование: в области взрывных работ при взрывании веществ бризантного типа. Сущность изобретения: способ взрывания осуществляется путем всестороннего ударного сжатия рабочего вещества взрывом дополнительного заряда. В качестве рабочего вещества...
- Реверсивно-управляемый полупроводниковый прибор
Применение: в реверсивно-управляемых приборах транзисторного и тиристорного типа для уменьшения мощности цепи накачки при коммутации больших токов. Сущность изобретения: вполупроводниковую структуру в базовый слой на границе с эмиттерным слоем введены...